检索首页
阿拉丁已为您找到约 37132条相关结果 (用时 0.2464154 秒)

led用yag:ce3+荧光粉的研制

d取代后,合成的gd3al5o12: ce几乎不发光。所以取代al的gd量在满足发射峰值的前提下,应尽可能减少。图二:不同gd量对yag:ce发射光谱的影响3.2 lu取代al的影

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229954.html2011/7/17 23:33:00

红色荧光粉介绍

发光二极led (lighT emiTTing diode)是一种可将电能转换为光能的能量转换器件,具有工作电压低,耗电量少,性能稳定,寿命长,抗冲击,耐震动性强,重量轻,体积

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229950.html2011/7/17 23:30:00

led行业近年的重要并购事件

换股比例合并国联光电,晶元电为存续公司。?;2005/8,philips购入agilenT所持lumileds47%股权共计9.5亿美元,,随后飞利浦以800万欧元收购员工持有的3

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229951.html2011/7/17 23:30:00

inn材料的电学特性

陷,大约是0.5ev,这样一来0.7ev正好对应的是1.25-1.30ev。持低能带隙的认为测得较高带隙的样品是由于掺入杂质、moss-bursTein效应,或是其它因素造成的。氧掺杂

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229952.html2011/7/17 23:30:00

led外延生长工艺概述

业介面的温度梯度逐渐变小,所以在晶棒成长阶段的拉速必须逐渐地降低,以避免晶棒扭曲的现象产生。5、尾部成长(Tail growTh)当晶体成长到固定(需要)的长度后,晶棒的直径必须逐

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00

外延生长技术概述

由led工作原理可知,外延材料是led的核心部分,事实上,led的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延材料。发光二极对外延片的技术主要有以下四条:?ゼbr①禁带宽

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00

led的外延片生长技术

n外延片层悬空于沟槽上,是在原gan外延片层侧壁的横向外延片生长。采用这种法,不需要掩膜,因此 避免了gan和嶷膜材料之间的接触。5.研发波长短的uv led外延片材料它为发

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00

半导体照明灯具系统设计概述

d的数目和功率的大小;② 将若干个led发光组合设计成点光源、环形光源或面光源的“二次光源”,根据组合成的二次光源,计算照明光学系统;③ 构成照明光学系统设计的“二次光源”上的每

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229949.html2011/7/17 23:29:00

rgb与白光led存亡之战

说到白光led的恩怨情仇,就不能不提rgb与白光led的兄弟阋墙,这两者殊途同归,都是希望达到白光的效果,只不过一个是直接以白 光呈现,另一个则是以红绿蓝三色混光而成,一个说对

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229943.html2011/7/17 23:27:00

分析el背光驱动工作原理

仅驱动一个led就需要5到10ma的电流。低功耗对于使用电池供电的设备而言,具有相当大的意义。 从电气特性上看,el灯片具有阻容特性,等效电路如图1,电容容量通常是2到6nf/in

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229944.html2011/7/17 23:27:00

首页 上一页 1743 1744 1745 1746 1747 1748 1749 1750 下一页