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led背光与无彩色滤光片技术

如等离子(plasma display panel,pdp)、有机发光二极(organic lighT emiTTing iode,oled),甚至是场发射式显示器(fiel

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229940.html2011/7/17 23:26:00

静电在led显示屏生产过程中的危害及防护措施

以产生局部地发热,因此出现直接击穿灯和ic的故障。即使电压低于介质的击穿电压,也会发生这种故障。一个典型的例子是,led是pn结组成的二极,发射极与基极间的击穿会使电流增益急

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发光二极封装结构及技术

包封材料,应用要求提高led的内、外部量子效率。常规φ5mm型led封装是将边长0.25mm的正芯粘 结或烧结在引线架上,芯的正极通过球形接触点与金丝,键合为内引线与一条

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sed显示技术

于采用与普通电视显像同样的高压荧光粉,可以达到优于pdp和lcd的色彩饱和度及锐利的图像;(5)器件基本上是平面结构,可以完全采用印刷工艺生产,使生产成本可以做到大大低于pd

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el显示(薄膜型电致发光显示)技术

场上的大多数el显示器均支持3 v和5 v逻辑电平。显示器还采用了特殊的设计,在满足当前各个emi标准要求的前提下,能够将对系统设计的影响降至最低。大多数新型号的el显示器也都符合欧

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led背光与无彩色滤光片技术

如等离子(plasma display panel,pdp)、有机发光二极(organic lighT emiTTing iode,oled),甚至是场发射式显示器(fiel

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led芯片的制造工艺简介

理工序:本工序的主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件(如晶体、电容、逻辑开关等),其处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关,但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗,再在其表面进行氧化

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金属有机化学汽相淀积(mocvd)技术

用范围广泛,几乎可以生长所有化合物及合金半导体;(2)、非常适合于生长各种异质结构材料;(3)、可以生长超薄外延层,并能获得很陡的界面过渡;(4)、生长易于控制;(5)、可以生长纯

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氮化镓衬底及其生产技术

人从高压熔体中得到了单晶氮化镓体材料,但尺寸很小,无法使用,目前主要是在蓝宝石、硅、碳化硅衬底上生长。虽然在蓝宝石衬底上可以生产出中低档氮化镓发光二极产品,但高档产品只能在氮化镓

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gan外延片的主要生长

v族,ii-vi族化合物及合金的薄层单晶的主要法。ii、iii族金属有机化合物通常为甲基或乙基化合物,如:ga(ch3)3,in(ch3)3,al(ch3)3,ga(c2h5)

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