检索首页
阿拉丁已为您找到约 101032条相关结果 (用时 0.0354486 秒)

募资15亿!华灿投资mini/micro LED、gan功率器件等

o LED、gan功率器件等项

  https://www.alighting.cn/news/20200403/167601.htm2020/4/3 16:54:01

新发现!新型透明导体材料有望实现高性能uv LED

据外媒报道,美国宾夕法尼亚州立大学、美国明尼苏达大学以及日本东京大学和日本东北大学共同研究发现一种发射uv光的新型透明导体材料,或可解决目前uv LED技术效率低的问题。

  https://www.alighting.cn/news/20200605/169163.htm2020/6/5 14:07:21

盛世之花︱三思4k LED斗屏点亮西安智慧奥体中心

西安奥体中心中央上空悬挂的斗型屏,端屏,南北出入口屏,热身馆屏等17块显示屏都是由上海三思精心打造而成,总面积近900m2,其中包括特别定制的超540m2 的4k LED斗屏。

  https://www.alighting.cn/news/20200608/169194.htm2020/6/8 15:40:30

巴可最大LED屏力助2007世界特殊奥林匹克运动会

在2007年10月2日至11日间举办的2007年世界夏季特奥会上,厂商巴可的LED显示屏将首次亮相于上海体育场。

  https://www.alighting.cn/news/20071006/109256.htm2007/10/6 0:00:00

江风益:需解决硅衬底做LED芯片几大关键技术

从现有水平看,硅衬底半导体照明技术路线需要攻克几大关键技术,包括6英寸mocvd设备制造技术、6英寸外延材料生长技术(减缓droop效应的发光结构)以及6英寸芯片制造技术。

  https://www.alighting.cn/news/20100509/85851.htm2010/5/9 0:00:00

江风益:需解决硅衬底做LED芯片几大关键技术

从现有水平看,硅衬底半导体照明技术路线需要攻克几大关键技术,包括6英寸mocvd设备制造技术、6英寸外延材料生长技术(减缓droop效应的发光结构)以及6英寸芯片制造技术。

  https://www.alighting.cn/news/2010514/V23716.htm2010/5/14 9:42:25

cbw6100b微型防爆电筒 cbxd6000LED袖珍防爆强光电筒生厂家批发价格

LED手电筒发光原理   原子电子有很多能级,当电子从高能级向低能级跃迁时,电子的能量就减少了,而减少的能量则转变成光子发射出去。大量的这些光子就是激

  http://blog.alighting.cn/tcyjiayou/archive/2010/11/19/115190.html2010/11/19 10:33:00

2009-2010年中国LED产业发展swot分析

”,国内企业容易进入形成产业集群。  (二) 国内部分优势企业已具备核心专利技术  锦秋财智咨询分析认为,与微电子相比,我国LED领域与国外的差距较小。我国自主研制的第一个发光二极

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2010/2/10/26847.html2010/2/10 10:33:00

2009-2010年中国LED产业发展swot分析

”,国内企业容易进入形成产业集群。  (二) 国内部分优势企业已具备核心专利技术  锦秋财智咨询分析认为,与微电子相比,我国LED领域与国外的差距较小。我国自主研制的第一个发光二极

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2010/2/10/26848.html2010/2/10 10:34:00

philips的LED光源散热设计指南

传统管芯的功率比较小,需要散热也不多,所以在散热上,并没有什么严重问题,但大功率的LED 就不同了,它的芯片功率密度非常大。目前,由于半导体制造技术的原因,有80% 以上的输入功

  https://www.alighting.cn/2014/7/8 10:20:58

首页 上一页 1747 1748 1749 1750 1751 1752 1753 1754 下一页