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http://blog.alighting.cn/sakura67/archive/2011/7/6/228802.html2011/7/6 9:45:00
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http://blog.alighting.cn/sakura67/archive/2011/7/6/228811.html2011/7/6 10:00:00
应稳定在额定值的± 0. 2% 的范围内，基波频率偏差不得大于0. 1% ，谐波失真小于3% ; 寿命试验的电源电压应稳定在± 2% 以内。 在led 驱动方面，通常使用恒流驱
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229831.html2011/7/17 22:24:00
成电路的封装尺寸比异步解决方案的更大。在异步拓朴中，通路部份是以萧特基二极管(schottkydiode)的形式实现。与采用开关电容器的升压比较，电感式升压所多占的空间主要来自电感
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229833.html2011/7/17 22:26:00
己开发的led驱动器、mosfet和肖特基二极管实现,其中120w led照明驱动电源还配有完备的短路、开路保护功能,并通过emc认证测试。这二款产品的工作寿命均长达8万小时,有效克
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229887.html2011/7/17 22:56:00
此 避免了gan和腌膜材料之间的接触。5.研发波长短的uv led晶圆材料它为发展uv三基色荧光粉白光led奠定扎实基矗可供uv光激发的高效荧光粉很多,其发光效率比目前使
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
却是所有电子工业的基矗硅晶柱的长成,首先需要将纯度相当高的硅矿放入熔炉中,并加入预先设定好的金属物质,使产生出来的硅晶柱拥有要求的电性特质,接着需要将所有物质融化后再长成单晶的硅晶
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00
d生长ingaalp外延片技术已相当成熟。ingaalp外延生长的基本原理是,在一块加热至适当温度的gaas衬底基片上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到gaas衬底表面,生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00
备打下了基矗图5为不同激活剂含量下该稀土铝酸盐荧光粉的发射光谱。铝酸盐荧光粉的发射主峰位于680nm以上,而镓酸盐的发射主峰的波长更长,在700nm以上。 在不同的激活剂含量下,发
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229950.html2011/7/17 23:30:00
