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本文主要利用x射线衍射和透射电子显微镜技术对蓝宝石衬底上生长的gan基led外延片的微结构进行了研究,主要研究工作为: 1.采用x射线衍射绝对测量法精确测量了gan薄膜的晶格参
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127130.htm2011/9/16 15:30:52
采用射频反应磁控溅射方法,在si(100)和石英基片上使用双靶溅射的方法制备了cu掺杂zno薄膜。利用x射线衍射、透射光谱和光致发光光谱分析了薄膜的晶体结构及光学性质,并与密度泛
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127133.htm2011/9/16 14:44:13
maxim（美信）称，max16801/max16802具有262khz固定开关频率，采用电流模式控制方案。配合使用外部mosfet，可提供大功率输出(超过50w)，并实现了较高的
https://www.alighting.cn/news/20110914/115335.htm2011/9/14 14:28:00
以下技术对比中将讨论线绕电阻在精密电路中的应用。不过请注意，线绕电阻没有晶片型，因此，受重量和尺寸限制需要采用精密晶片电阻的应用不使用这种电阻。
https://www.alighting.cn/resource/20110914/127149.htm2011/9/14 10:08:29
三安光电称，此发明可改善蓝宝石衬底上gan基外延晶格质量及提高gan基led取光效率，有效提升照明级白光led芯片亮度及技术水平。
https://www.alighting.cn/news/20110914/115709.htm2011/9/14 9:20:32
通过正交试验分析了阳极氧化法制备led封装用铝基板过程中电流密度、硫酸质量浓度、温度和时间等因素对其热阻、厚度、绝缘电阻率的影响,得到了制备低热阻铝基板的最佳工艺参数。根据优化参
https://www.alighting.cn/resource/20110914/127154.htm2011/9/14 9:03:57
在长时间施加直流栅偏压下将导致晶体管阈值电压漂移,造成oled的发光亮度下降,影响其使用寿命。而多管的像素电路设计可以补偿或消除阈值电压的漂移。本文分析了电流控制电流镜像像素电路的
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127159.htm2011/9/13 14:02:15
氢化物气相外延(hvpe)是制备氮化镓(gan)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了gan体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127162.htm2011/9/13 9:04:57
maxim日前推出具有宽输入电压范围的高亮度(hb)led驱动器，max16801/max16802。max16801适用于通用交流输入(85v至265v交流电压整流输入)le
https://www.alighting.cn/news/20110909/114733.htm2011/9/9 10:35:59
由于有机电致发光器件(organic light-emitting devices,oleds)的主动发光、高亮度等优点,在显示和照明领域有极大的应用前景。报道了纳米zno薄膜
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127166.htm2011/9/9 10:02:15
