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底上的垂直结构gap基led芯片有两种结构：不剥离导电砷化鎵生长衬底：在导电砷化鎵生长衬底上层叠导电dbr反射层，生长 gap 基led外延层在导电dbr反射层上。剥离砷化鎵生长衬
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262772.html2012/1/29 0:44:05
如波长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%，已接近极限。 lgainn基材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37
构从事氮化镓基蓝绿led的材料生长、器件工艺和相关设备制造的研究和开发工作。其中处于世界领先水平的主要有：日本的nichia；美国的lumileds、gree；德国的osram等。这
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262750.html2012/1/29 0:42:52
费电子市场的超级海啸！ led灯具的高节能、长寿命、利环保的优越性能获得普遍的公认。 led高节能：直流驱动，超低功耗(单管0.03瓦-1 瓦)电光功率转换接近100%，相同照明效
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262729.html2012/1/29 0:41:03
特的金属基覆铜板，具有良好的导热性、电气绝缘性能和机械加工性能。设计时也要尽量将pcb靠近铝底座，从而减少灌封胶部分产生的热
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262713.html2012/1/29 0:39:24
长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn基材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn基超高亮
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262693.html2012/1/29 0:38:17
图1)。3材料选用3．1陶瓷盖led平板显示器厚膜电路衬底基片材料采用常规厚膜工艺所使用的96％a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材料时,除要求其理化性能与衬底基片能够良好匹配外,还
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262691.html2012/1/29 0:38:09
示器厚膜电路衬底基片材料采用常规厚膜工艺所使用的96％a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材料时,除要求其理化性能与衬底基片能够良好匹配外,还应尽量考虑降低产品制造成本。为此,我们将厚
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262687.html2012/1/29 0:37:54
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262683.html2012/1/29 0:37:42
高亮度led虽然具备了更省电、使用寿命更长及反应时间更快等优点，但仍得面对静电释放（esd）损害和热膨胀系数（tce）等效能瓶颈；本文将提出一套采次黏着基台（submoun
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262661.html2012/1/29 0:36:32
