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于光电子和微电子器件领域。si衬底gan基材料及器件的研制将进一步促进gan基器件与传统器件工艺的集成，因而具有很高的研究价值。介绍了si衬底gan基材料生长及特性方面的研究现
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
题，但是与集成电路中互连线金属电迁移有所不同，主要是纵向迁移，即p型欧姆接触金属沿缺陷管道电迁移到达结区造成短路[7－11]，导致器件失效。由于没有匹配的衬底材料，外延生长的gan薄
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230348.html2011/7/20 0:20:00
ｍｏｃｖｄ是一种利用气相反应物，或是前驱物ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ和ⅲ族的有机金属和ⅴ族的ｎｈ３，在基材ｓｕｂｓｔｒａｔｅ表面进行反应，传到基材衬底表面固态沉积物的制
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230341.html2011/7/20 0:17:00
测，到2005年国际上led的市场需求量约为2000亿只，销售额达800亿美元。 在led产业链接中，上游是led衬底晶片及衬底生产，中游的产业化为led芯片设计及制造生产，下游
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230339.html2011/7/20 0:16:00
厚膜电路衬底基片材料采用常规厚膜工艺所使用的96％a12o3标准陶瓷，在选用陶瓷盖材料时，除要求其理化性能与衬底基片能够良好匹配外，还应尽量考虑降低产品制造成本。为此，我们将厚膜电
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230332.html2011/7/20 0:12:00
光粉已实用蓝色ledingan/荧光染料蓝光激发产生蓝绿红三色染料蓝色ledznse外延层出现蓝光，激发衬底出黄光紫外ledingan/荧光粉紫外光激发三基色荧光粉双芯片蓝色led
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230307.html2011/7/19 23:57:00
产。据预测，到2005年国际上led的市场需求量约为2000亿只，销售额达800亿美元。 在led产业链接中，上游是led衬底晶片及衬底生产，中游的产业化为led芯片设计及制造生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230306.html2011/7/19 23:56:00
果开关管的衬底未与源端相接，则会产生衬底偏置效应，使开关管产生阈值损失，导致电荷泵电压无法升至设定值。如图4所示，开关管s1、s3、s4、s5、s6的源漏端能比较容易的判断出来，s
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230304.html2011/7/19 23:55:00
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230169.html2011/7/19 0:23:00
置和参数,然后把这些数据传递到分选设备上,进行快速分选、这样做的优点是快速,但缺点是可靠性比较低,容易出错,因为在测试与分选两个步骤之间通常还有衬底减薄和芯片分离的工艺过程,而在这
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