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散热问题持续困扰高功率白光led的应用

高光输出量,所以,有逐渐朝向在芯片表面建立texture或photonics结晶的架构。例如德国的osram就是以这样的架构开发出「thin GaN」高亮度led,osram是

  http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133870.html2011/2/19 23:35:00

四大知名集团成立开发晶照明 联手发力led产业

额16000万美元,本项目投产后,可形成年产高亮度GaN蓝光外延片72万片,背光芯片46亿颗,照明芯片3.9亿颗的生产规模。作为开发晶的控股方,长城开发借助26年发展积累下来的优势和经验,

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/6/4/188330.html2011/6/4 19:38:00

八大全球led制造商

1,cree 著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化硅(sic),氮化镓(GaN),硅(si)及相关的化合物为础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激

  http://blog.alighting.cn/sztatts/archive/2011/6/22/222656.html2011/6/22 14:48:00

散热问题持续困扰高功率白光led的应用

出量,所以,有逐渐朝向在芯片表面建立texture或photonics结晶的架构。例如德国的osram就是以这样的架构开发出「thin GaN」高亮度led,osram是在inga

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230316.html2011/7/20 0:05:00

led芯片降价空间大 可通过三种途径

电的蓝宝石那样必须都从一侧引出,这样不但可以减少管芯面积还可以省去对GaN外延层的干法腐蚀步骤。同时由于硅的硬度比蓝宝石和sic低,在加工方面也可以节省一些成本。据国外某知名公司的估计使

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233061.html2011/8/19 23:49:00

led芯片降价空间大 可通过三种途径

电的蓝宝石那样必须都从一侧引出,这样不但可以减少管芯面积还可以省去对GaN外延层的干法腐蚀步骤。同时由于硅的硬度比蓝宝石和sic低,在加工方面也可以节省一些成本。据国外某知名公司的估计使

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258536.html2011/12/19 10:58:43

全球八大led芯片制造商

1,cree  著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化硅(sic),氮化镓(GaN),硅(si)及相关的化合物为础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258630.html2011/12/19 11:09:53

全球八大led芯片制造商

1,cree  著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化硅(sic),氮化镓(GaN),硅(si)及相关的化合物为础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261443.html2012/1/8 21:33:08

led芯片降价空间大 可通过三种途径

电的蓝宝石那样必须都从一侧引出,这样不但可以减少管芯面积还可以省去对GaN外延层的干法腐蚀步骤。同时由于硅的硬度比蓝宝石和sic低,在加工方面也可以节省一些成本。据国外某知名公司的估计使

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261531.html2012/1/8 21:48:34

全球八大led芯片制造商

1,cree  著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化硅(sic),氮化镓(GaN),硅(si)及相关的化合物为础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262614.html2012/1/29 0:33:37

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