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据glii调查，2010年中国共安装led路灯35万盏(不包含led隧道灯)，其中“十城万盏”21个城市共安装led路灯16万盏。高工led预计，2011年中国led路灯安装量将超
https://www.alighting.cn/news/20110118/92341.htm2011/1/18 11:02:18
ccs-mocvd系统生长了ingan/gan mqw蓝光led外延片。通过实验，对两片样品外延片进行了分析和测试，发现衬底氨化时间的长短和生长gan缓冲层镓量与氨量的化学计量
https://www.alighting.cn/resource/20110117/128080.htm2011/1/17 15:03:18
江苏省武进半导体照明科技产业园位于武进高新区，产业园划分为生产应用、研发与孵化、行政管理、休闲生活等功能区。计划引进30-50家企业，产品涵盖芯片、外延片研发制造，封装和应用产
https://www.alighting.cn/news/2011117/n224330105.htm2011/1/17 9:32:24
半导体探针卡大厂旺硅(6223)转投资的led芯片后段工艺代工琉明光电(3575)，2010年12月营收3152万元新台币，较2009年同期成长19.53%，累计1-12月营收4.
https://www.alighting.cn/news/20110114/116828.htm2011/1/14 13:33:50
造工业带来了诸多挑战。它们的制造是通过复杂的晶体外延生长的方式得到的,比如金属有机化学气相沉积(mocvd)技术,该加工技术非常复杂,它有赖于化学反应来实现晶体生长,而不是物理沉
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127094.html2011/1/12 17:25:00
加mocvd系统生产率的唯一措施。同时，外延片的均匀性必须改善到确保led工艺的最高芯片成品率的一个水平。从mocvd反应炉的设计方面来说，这必须转化成一些特定要求。由于mocv
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127093.html2011/1/12 17:24:00
法把外延层转移到导电基板上，再用si腐蚀液把si衬底腐蚀去除并暴露n型gan层，使用碱腐蚀液对n型面粗化后再形成n型欧姆接触，这样就完成了垂直结构led芯片的制作。结构图见图
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
十一世纪，led从外延材料生长、芯片制作到器件封装均取得了大幅度的技术进步，led综合光效已提高了3～4倍。因此采用压缩视角而提高光轴方向亮度的技术方法已不应再成为业界提高亮度的唯
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127021.html2011/1/12 16:34:00
、型号及出厂日期等标识的标签并加以包装后即可出厂。而未通过测试的芯片则视其达到的参数情况定作降级品或废品。 led 芯片的制造工艺流程： 外延片→清洗→镀透明电极层→透
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127001.html2011/1/12 0:49:00
行探索。由于gan材料的电荧光对晶体缺陷并不敏感，因此人们预期在si衬底上异质外延生长ⅲ族氮化物发光器件在降低成本方面具有明显的技术优势。 人们还期待使用si衬底今后还有可能
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
