站内搜索
股的大陆首家从事氮化鎵基led外延..
https://www.alighting.cn/news/20101122/86173.htm2010/11/22 0:00:00
成的热沿着以下简化的热路径传导：结点→热沉→铝基散热电路板→空气/环境（见图1），则热路径的简化模型就是串联热阻回路，如图2表示： p-n结点到环境的总热
http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115543.html2010/11/20 23:43:00
率的方向发展，一个贴片内封装三、四个led芯片，可用于组装照明产品。模组封装也是一种多芯片封装，在氧化铝或氮化铝基板上以较小的尺寸、高的封装密度封装几十个或几百个led芯片，内部的联
http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115531.html2010/11/20 23:14:00
”，成立了“欧洲光电产业联盟”。 韩国在2000年制定了“氮化镓半导体开发计划”，成立了光产业振兴会。 美国在2001年启动的“下一代照明计划（ngli）”及2002年设立的
http://blog.alighting.cn/zhongguozhiguang/archive/2010/11/19/115267.html2010/11/19 16:14:00
成，没有使用黏结剂，因此导热性能好、强度高、绝缘性强，如图2(b)所示。其中氮化铝(aln)的热导率为160w/mk，热膨胀系数为4.0×10-6/℃(与硅的热膨胀系数3.2×10-6
http://blog.alighting.cn/Autumn/archive/2010/11/18/115035.html2010/11/18 16:56:00
http://blog.alighting.cn/Antonia/archive/2010/11/18/115034.html2010/11/18 16:41:00
金（铝）丝材料、超声功率、压焊压力、劈刀（钢嘴）选用、劈刀（钢嘴）运动轨迹等等。（下图是同等条件下，两种不同的劈刀压出的焊点微观照片，两者在微观结构上存在差别，从而影响着产品质
http://blog.alighting.cn/Antonia/archive/2010/11/18/115017.html2010/11/18 16:05:00
业内普遍通过在**荧光粉内加入红色荧光粉的方法，其光谱图如图3所示： 图3 由于红色荧光粉材质多为氮化物或硅酸盐，其激发效率往往偏低其老化衰减较大。 采用红光晶
http://blog.alighting.cn/Antonia/archive/2010/11/18/115014.html2010/11/18 16:01:00
指在led负载端和220v输入端有直接连接，因此触摸负载就有触电的危险。220v和铝壳之间只有铝基板的极薄绝缘层的隔离，通常不容易通过ce和ul认证。 图2. 隔离式led日光灯电
http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114856.html2010/11/18 0:25:00
流的功率型led芯片，低热阻、散热良好及低应力的新的封装结构是功率型led器件的技术关键。可采用低阻率、高导热性能的材料粘结芯片；在芯片下部加铜或铝质热沉，并采用半包封结构，加速散
http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/11/18/114854.html2010/11/18 0:21:00
