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用cree芯片封装最好的厂家

5,3228)和大功率led(1w-3w)。该类led采用cree芯片,采用专利荧光粉。产品可销往日本,北美和欧洲市场。 产品参数:常规3528单芯白光(6-7lm,10*23芯

  http://blog.alighting.cn/SUNLIGHTLCP/archive/2011/4/12/165031.html2011/4/12 13:19:00

剖析国内led芯片工业状况:竞赛格式逐渐成型

在2009-2011年的张狂扩大致使产能过剩,商品报价不断跌落之后,当时国内led芯片工业如今已逐渐康复理性开展,跟着下流照明商场的逐渐翻开,背光需要的回温,报价跌落脚步已逐渐缩

  http://blog.alighting.cn/184907/archive/2013/8/8/323095.html2013/8/8 13:46:05

全球八大led芯片制造商

全球八大led芯片制造商 1,cree   著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化硅(sic),氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫

  http://blog.alighting.cn/sqslove/archive/2010/2/27/34476.html2010/2/27 14:14:00

全球led芯片品牌名单汇总

台湾led芯片厂商:  晶元光电(epistar)简称:es、(联诠、元坤,连勇,国联),广镓光电(huga), 新世纪(genesisphotonics),

  http://blog.alighting.cn/wan/archive/2011/12/14/257862.html2011/12/14 11:51:55

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

摘 要:用同种gan基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:gan基led芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

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