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一版本则是华为海思自己设计的基带。 abi表示，尽管华为的这款调制解调器是在2010年年底上市的，但这hspa基带已经出现在其他两个产品上了。 “现在的问题是：华为会将其内
http://blog.alighting.cn/shaoshao/archive/2011/7/21/230569.html2011/7/21 16:43:00
日前，贵航股份公告称，第二大股东贵阳市工业投资(集团)有限公司以持有贵航全部股份做抵押融资，募资约2亿元人民币，将用于贵阳工投子公司的年产2500万片led衬底材料项目。
https://www.alighting.cn/news/20110721/100487.htm2011/7/21 9:11:15
a1gainn芯片倒装焊接在具有防静电保护二极管(esd)的硅载体上。美国cree公司是采用sic衬底制造a1gainn超亮度led的全球唯一厂家，近年来a1galnn／sic芯
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230482.html2011/7/20 23:12:00
这毯子可牛了，它是钢化玻璃碎片加上一层硅树脂的外衬在做成的，具有韧性，可以任意弯曲。钢化玻璃碎片的作用有三点：1.起到折射作用，使光线更漂亮 2.起到物理的可塑性，实现一定程
https://www.alighting.cn/case/2011/7/20/172659_24.htm2011/7/20 17:26:59
led的散热现在越来越为人们所重视，这是因为led的光衰或其寿命是直接和其结温有关，散热不好结温就高，寿命就短，依照阿雷纽斯法则温度每降低10℃寿命会延长2 倍。遗憾的是，现在实际
https://www.alighting.cn/resource/2011/7/20/165643_82.htm2011/7/20 16:56:43
于光电子和微电子器件领域。si衬底gan基材料及器件的研制将进一步促进gan基器件与传统器件工艺的集成，因而具有很高的研究价值。介绍了si衬底gan基材料生长及特性方面的研究现
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
题，但是与集成电路中互连线金属电迁移有所不同，主要是纵向迁移，即p型欧姆接触金属沿缺陷管道电迁移到达结区造成短路[7－11]，导致器件失效。由于没有匹配的衬底材料，外延生长的gan薄
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230348.html2011/7/20 0:20:00
ｍｏｃｖｄ是一种利用气相反应物，或是前驱物ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ和ⅲ族的有机金属和ⅴ族的ｎｈ３，在基材ｓｕｂｓｔｒａｔｅ表面进行反应，传到基材衬底表面固态沉积物的制
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230341.html2011/7/20 0:17:00
测，到2005年国际上led的市场需求量约为2000亿只，销售额达800亿美元。 在led产业链接中，上游是led衬底晶片及衬底生产，中游的产业化为led芯片设计及制造生产，下游
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230339.html2011/7/20 0:16:00
厚膜电路衬底基片材料采用常规厚膜工艺所使用的96％a12o3标准陶瓷，在选用陶瓷盖材料时，除要求其理化性能与衬底基片能够良好匹配外，还应尽量考虑降低产品制造成本。为此，我们将厚膜电
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230332.html2011/7/20 0:12:00
