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r), 数字型(digital),点矩阵型(dot matrix), 表面粘着型(smd)等磊晶片(epi wafer), 晶粒(chip)制程设备及材料基板, 单晶棒, 萤光粉, 环
http://blog.alighting.cn/wanshengzhanlan/archive/2011/7/5/228639.html2011/7/5 16:08:00
非隔离是指在led负载端和220v输入端有直接连接，因此触摸负载就有触电的危险。220v和铝壳之间只有铝基板的极薄绝缘层的隔离，通常不容易通过ce和ul认证。 图2.隔离
http://blog.alighting.cn/surpius/archive/2011/7/9/229366.html2011/7/9 10:13:00
准灯头。该装置不能直接与分支电路连接。 led 阵列或模块（led array or Module）：在印刷线路板或基板上的led封装（元件）或晶片的组件，可能带有光学元件、附
http://blog.alighting.cn/李高/archive/2011/7/13/229614.html2011/7/13 19:19:00
就是一项挑战,因为无论在良率、研发、生产工程上都是需要予以克服的。当然,还有其他方式可达到提高发光效率的目标,许多业者发现,在led蓝宝石基板上制作出凹凸不平坦的结构,这样或许可以提
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229909.html2011/7/17 23:09:00
光led。其技术是先在znse单晶基底上生长一层cdznse薄膜,通电后该薄膜发出的蓝 光与基板znse作用发出互补的黄光,从而形成白光光源。美国boston大学光子研究中心用同
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
质的基板上制造，令它在外形设计上可以做出各种各样的弯曲形状的柔软显示设备，来配合各种需要。此外，在oled器件的单个像素中，其尺寸可以相当小，并且还预留了很大的空间减幅潜力，令它特
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230294.html2011/7/19 23:46:00
石基板上制作出凹凸不平坦的结构，这样或许可以提高光输出量，所以，有逐渐朝向在芯片表面建立texture或photonics结晶的架构。例如德国的osram就是以这样的架构开发出
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230298.html2011/7/19 23:50:00
多技术和观念上的突破，si衬底gan基材料生长越来越成为人们关注的焦点。我国南昌大学就首先突破了硅基ganled外延片和新基板焊接剥离技术，利用lp-Mocvd系统在si(111)
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
端最大电压有不同的要求。在测试前需要确认无绝缘的带电部件必须固定在基板或配件表面，不能因产生回旋或位移而导致可接受的最小间距较少，同时会引致电击危险的带电部件必须被围起或置于减少
http://blog.alighting.cn/李高/archive/2011/8/15/232394.html2011/8/15 21:24:00
率指标控制必须非常严格，这是封装业的重中之重。以往，制约led封装技术发展的因素被认为主要存在于以下三个方面：一是关键的封装原材料，如基板材料、有机胶(硅胶、环氧树脂)、荧光粉等性
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233057.html2011/8/19 23:49:00
