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效，可达120lm/w 可直接替换3528 应用： 通用照明 工程亮化 便携式照明产品 汽车、火车、飞机等内部照明产品 手机、相机闪光灯 具体参数（Cree芯片封装产
http://blog.alighting.cn/szrgb/archive/2011/10/25/248616.html2011/10/25 17:23:35
厂商掌控，即日本的日亚化学 (nichia)、丰田合成(toyodagosei)、美国Cree公司、欧洲飞利浦(philipslumileds) 和 欧司 朗(osram)。这5
http://blog.alighting.cn/szrgb/archive/2011/10/25/248614.html2011/10/25 17:23:29
利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的ceo2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126965.htm2011/10/25 14:41:00
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25
采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的ganmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的gan薄
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12
1arcsec。硅衬底gan led理想因子大的原因可以归结为高缺陷密度所致,高缺陷密度使电流隧穿更容易进
https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29
纵观整个业界的反映，Cree公司的首席执行官chuck swoboda认为，近些年来led背光用的led芯片生产大幅增加，这给其余的led市场造成了压力。受led照明市场需求增
https://www.alighting.cn/news/20111024/90079.htm2011/10/24 11:13:06
本文讲述大功率外延片芯片在设计过程中所应该着重注意的几点，对上游工程师和结构设计的工作人员有比较好的借鉴作用，推荐阅读；
https://www.alighting.cn/resource/20111021/126981.htm2011/10/21 12:51:24
据美国led厂Cree指出，其光效达140lm/w的商用照明器件将迈入量产，若以140lm/w量产等级来看，组装为led球泡灯后，发光效率可达70~80lm/w，将正式超越省电灯
https://www.alighting.cn/news/20111021/n145635153.htm2011/10/21 9:29:31
照，以Cree、osram、philip等五大led芯片巨头为代表的国外企业进军中国市场的形势咄咄逼人，他们欲垄断中国led照明市场的意图明显加强： ·Cree在保持2008年全
http://blog.alighting.cn/113268/archive/2011/10/20/246955.html2011/10/20 17:51:41
