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场的下游应用产品主要是采购国外led芯片商的产品，目前在led产品的评价、认证、检测等方面还需进一步加强研究管理。建议有关方面要积极关注半导体照明设计和应用领域中发生的巨大变化，科学把
http://blog.alighting.cn/zhongguozhiguang/archive/2010/11/16/114438.html2010/11/16 13:23:00
按电路结构方式分类（1）电阻、电容降压方式：通过电容降压，在闪动使用时，由于充放电的作用，通过led的瞬间电流极大，容易损坏芯片。易受电网电压波动的影响，电源效率低、可靠性低。 （
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114808.html2010/11/17 22:44:00
合现在国产芯片已达到80lm/w，结合美国能源之星规范，用led灯泡取代白炽灯泡规格见下表： led灯泡最小光输出(流明) 500 300 150 90 7
http://blog.alighting.cn/newzone/archive/2010/11/17/114830.html2010/11/17 23:12:00
d产业发展？ 李兴华：我们选定了两个突破口，即重点突破“核心技术及装备”和“产品推广应用”这两个关键端口。在上游外延芯片环节，重点突破mocvd（有机金属化学汽相淀积设备）
http://blog.alighting.cn/newzone/archive/2010/11/17/114831.html2010/11/17 23:13:00
w。海拉亦预测：在今后的3-5年间，发自同样功耗芯片的led光强度将会提升50%。此事不仅意味着led灯具将更加明亮，而且体现了其能耗的削减，从而改善整车的燃油经济性。 据估
http://blog.alighting.cn/Haidee/archive/2010/11/20/115540.html2010/11/20 23:41:00
右市场，产品必将走入应用环节。当我们掌握了大量的应用专利和市场份额后，与国外巨头实现专利交叉授权，才能扭转被动的局面。我们预测，如果突破了从mocvd至芯片的核心技术，那么整个半导
http://blog.alighting.cn/sunfor/archive/2010/11/26/116647.html2010/11/26 9:11:00
出，满足不同场合的要求。系统结构如图1所示。主要可分为以下部分：带隙基准电路，软启动电路，振荡器，1.5倍压电荷泵，数字调光模块。当en／set端输入高电平时，芯片启动，vin经过
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120540.html2010/12/13 23:01:00
谱。激发光谱与发射光谱有相似的变化趋势：随着钙含量的增加，激发峰朝长波方向移动，且峰值明显增强。这些改变扩大了该荧光粉的应用范围。根据不同的芯片和应用的需要，可以选择不同的激发和发射
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120556.html2010/12/13 23:05:00
占5-10%。银胶的使用：冷藏，使用前需解冻并充分搅拌均匀，因银胶放置长时间后，银粉会沉淀，如不搅拌均匀将会影响银胶的使用性能。三、晶片（chip）： 发光二极管和led芯片的结
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120871.html2010/12/14 21:47:00
出。 ◆能控制选通驱动16行同名行中的一行进行逐行扫描显示。 ◆实现主控芯片3．3 v到led屏5v的逻辑电平转换。 主控板与led屏接口电路原理图如图2所
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120877.html2010/12/14 21:49:00
