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现全色系led产业化的同时，开发了led芯片寿命试验的条件、方法、手段和装置等，以提高寿命试验的科学性和结果的准确性。 2、寿命试验条件的确定 电子产品在规定的工作及环境条件下，进
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261361.html2012/1/8 20:21:43
片生产主要技术都掌握在国外公司手中，技术国产化进程较慢，影响了产业的发展。mocvd外延炉及其相关配套技术是led产业链的最高端，目前主要依赖进口，极大地制约了led产业上游的成
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261363.html2012/1/8 20:21:50
入节能灯具，对于全球的能源消耗可能产生显着的节约成效，因此，各国政府为了打造更环保的国家形象，也积极透过政策、法规与产业辅导朝照明节能化应用方向发展，而利用原有的led或是ccfl新
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261370.html2012/1/8 20:22:18
d材料与器件的基础性研发;支持led照明应用基础理论研究,包括光度学、色度学、测量学等;攻克led照明产业化共性关键技术,包括大功率芯片和器件、驱动电路及标准化模组、系统集成与应用
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261419.html2012/1/8 21:27:52
光）led并成功实现商品化，同年在世界范围内取得了该项技术的专利。目前发展的方向是无机紫外光晶片加红、蓝、绿三颜色荧光粉混合产生白光的三波长白光led，实现商品化后它将取代荧光灯
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261422.html2012/1/8 21:28:08
量。 二、 体积小型化随时led的进一步发展，向照明领域的不断进军，向民用市场的逐渐普及。大功率led电源设计的小型化发展是一个必然的越势，这对led驱动器提出了新的课题。t220
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261426.html2012/1/8 21:28:15
1mm2，p型欧姆接触为正方形，n欧姆接触以梳状插入其中，这样可缩短电流扩展距离，把扩展电阻降至最小；第四步，将金属化凸点的algainn芯片倒装焊接在具有防静电保护二极管（es
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261445.html2012/1/8 21:33:10
升及保持亮度，若再增强其散热能力，市场之发展深具潜力。 asm在研发及生产自动化光电组件封装设备上拥有超过二十年经验，业界现行有很多种提升led亮度方法，无论从芯片及封装设计层
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261467.html2012/1/8 21:39:14
砷(as)化鎵(ga) ，其正向pn结压降(vf，可以理解为点亮或工作电压)为1.424v，发出的光线为红外光谱。另一种常用的led材料为磷(p)化鎵(ga)，其正向pn结压降为2
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261495.html2012/1/8 21:46:02
片的可靠性水平，以保证led芯片质量，为此我司在实现全色系led产业化的同时，开发了led芯片寿命试验的条件、方法、手段和装置等，以提高寿命试验的科学性和结果的准确性。2、寿命试
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