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日亚化学工业公开白色led开发蓝图，200lm/w产品上市在即

型封装内的白色led(输入电流为20ma)，在研究水平上发光效率将达249lm/w，2011～2012年将达到能够上市200lm/w产品的技术水平。现有产品中发光效率较高的品种为15

https://www.alighting.cn/news/20091109/120986.htm2009/11/9 0:00:00

美研究人员放大招或可让led达到零光衰？

伊利诺大学香槟分校研究人员发展出一种新的方法，提升绿光led亮度并且提高其效率。伊利诺大学的电气与计算机工程系助理教授can bayram发展出一种新的方法，提升绿光led亮度并

https://www.alighting.cn/news/20160803/142500.htm2016/8/3 9:46:58

美国bolb公司宣布深紫外发光二极管取得重大技术突破

硅谷，加利福尼亚州 - 6月12日 – 美国bolb公司宣布在全透明结构深紫外发光二极管(uvc led)上实现12.2%的外量子效率(eqe)。这一关键基础技术突破为uv

https://www.alighting.cn/news/20180621/157288.htm2018/6/21 9:21:02

[原创]晟大led日光灯管技术揭秘

线照射部分升温较慢，但led自身会发热，所以散热对策不可缺少。一旦超过led芯片的容许温度，led的发光效率就会下降，对灯管的寿命也会产生不良影响。晟

http://blog.alighting.cn/sundopt/archive/2009/12/15/21644.html2009/12/15 20:00:00

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯（200-350μm2），日本日亚公司报道的最高研究水平，紫光（400 nm）22 mw，其外量子效率为35.5%，蓝光(460 nm) 18.8 mw，其外量子效率

http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯（200-350μm2），日本日亚公司报道的最高研究水平，紫光（400 nm）22 mw，其外量子效率为35.5%，蓝光(460 nm) 18.8 mw，其外量子效率

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯（200-350μm2），日本日亚公司报道的最高研究水平，紫光（400 nm）22 mw，其外量子效率为35.5%，蓝光(460 nm) 18.8 mw，其外量子效率

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯（200-350μm2），日本日亚公司报道的最高研究水平，紫光（400 nm）22 mw，其外量子效率为35.5%，蓝光(460 nm) 18.8 mw，其外量子效率

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯（200-350μm2），日本日亚公司报道的最高研究水平，紫光（400 nm）22 mw，其外量子效率为35.5%，蓝光(460 nm) 18.8 mw，其外量子效率

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯（200-350μm2），日本日亚公司报道的最高研究水平，紫光（400 nm）22 mw，其外量子效率为35.5%，蓝光(460 nm) 18.8 mw，其外量子效率

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

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