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体发光芯片与发光材料两个核心技术介绍了led“芯粉合一”的研发与突破,他指出,led芯片与硅氧基荧光粉结合的技术优势是低光衰、高光效、高显色性、色域广。 肖志国指出白光led不足之
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2010/8/20/91728.html2010/8/20 21:10:00
该篇文章主要介绍了led光源驱动设计及周边器件的选择，主要有驱动ic的选择，电感选择，emc电感的选择，输出电容的选择，输入电容器的选择，肖特基二极管的选择，led恒流驱动器
https://www.alighting.cn/resource/2010820/V1154.htm2010/8/20 16:08:28
围绕GaN类蓝色led的相关专利，大型led厂商曾在日本以及海外展开过诉讼。1996年日亚化学工业以丰田合成侵犯了该公司专利为由对后者提起诉讼，为了与之对抗，丰田合成也起诉了日
https://www.alighting.cn/news/20100820/103438.htm2010/8/20 14:00:24
https://www.alighting.cn/news/20100820/116138.htm2010/8/20 11:14:13
了自己，还搞烂了市场。如果以后接到树脂发光字的单，不如发给别人做好了。省了这份心。要说发给谁做，我也不好说。不如去哪个 qq 群去问吧。 这吸塑字流行起源于肯德基，麦当劳的招
http://blog.alighting.cn/rd75uodian/archive/2010/8/20/91618.html2010/8/20 9:35:00
较 六、led组合化封装是未来发展趋势 模组的组合设计能有效的降低一次性封装成本；分散的封装形式有利于减低散热设计成本；选择国产的铝基pcb板材；便于光学设计；电源设计简
http://blog.alighting.cn/xinglei/archive/2010/8/20/91604.html2010/8/20 8:30:00
项目针对芯片封装热阻过高、工作寿命短、出光效率低，模组互换性差等问题主要进行以下方面研究： 1、研究内容： (1)陶瓷基共晶焊薄膜荧光粉大功率led封装技术。由于封
https://www.alighting.cn/resource/2010819/V1139.htm2010/8/19 11:47:33
由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，GaN主要应用于光元件。通过混合铟(in)和
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128306.htm2010/8/17 17:42:27
led和半导体激光器等的发光部分的半导体层，是在基片上生长结晶而成。采用的基片根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色led等GaN类半导体材料的led芯片，
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128307.htm2010/8/17 17:40:08
利用带隙较宽的层夹住带隙窄且极薄的层形成的构造。带隙较窄的层的电势要比周围(带隙较宽的层)低，因此形成了势阱(量子阱)。在led和半导体激光器中，量子阱构造用于放射光的活性层。
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128308.htm2010/8/17 17:37:46
