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na-mg共掺杂zno薄膜的结构和光学性质

利用溶胶-凝胶法,在普通载玻片上使用旋转涂膜技术制备了具有c轴择优取向生长的na-mg共掺杂的zno薄膜。用xrd、sem、光致发光(pl)及透射光谱对薄膜样品进行了表征。

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127006.htm2011/10/18 14:46:03

lp-mocvd生长ingan及ingan/gan量子阱的研究

关,生长温度由800℃降低到740℃,in组份的从0.22增加到 0.45 ;室温ingan光致发光光谱(pl)峰全半高宽(fwh m)为15.5 nm;ingan/gan量子阱

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18

si(111)湿法腐蚀后表面形态的ftir研究

运用偏振衰减全反射傅立叶变换红外光谱技术 (atr-ftir) ,研究了 si(1 1 1 )在不同比例的 nh4f-hcl溶液中腐蚀后的表面形态。通过分析表面振动模型的偏振波长

  https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:03:59

si掺杂zno薄膜的制备及光学性质的研究

法制备了未掺杂zno薄膜。通过x射线衍射、拉曼光谱、光致发光光谱和吸收光谱对其结构和光学性质进行了表

  https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:48:48

lisrpo_4:tb~(3+)荧光粉的制备及发光特性

采用高温固相法合成了lisrpo4:tb3+发光材料,测定了荧光粉的激发光谱和发射光谱,该荧光粉的激发主峰位于330~390nm,属于4f→4f电子跃迁吸收,与uvled管芯相匹

  https://www.alighting.cn/2011/9/29 14:12:32

led用红色发光材料li_3ba_2ln_(3-x)eu_x(moo_4)_8的制备及性能

射(xrd)测定了其最佳合成温度和不同温度下所得样品的结构,发现所有样品均具有单斜结构;采用荧光光谱对所得荧光粉发光性能进行了表

  https://www.alighting.cn/2011/9/26 14:27:18

led结温与光谱特性关系的测量

光led的结温与其光谱特性进行了测量,得到了不同条件下led结温与光谱特性的关系

  https://www.alighting.cn/resource/20110923/127090.htm2011/9/23 10:06:34

led红色发光粉的制备及封装性能(英文)

实验采用碳酸锂、氧化钨、氧化铕制备了lieuw2o8发光粉,通过扫描电镜和光谱仪分别研究了它的形貌与光谱特征。结果显示:lieuw2o8发光粉的激发光谱较宽,非常适合于近紫外、蓝

  https://www.alighting.cn/resource/20110923/127092.htm2011/9/23 9:38:16

led光学参数测试方法研究

通过分析led(发光二极管)发光机理和封装特点,选择了led需要测试的光学参数:光通量、亮度、发光强度、空间光强分布、相对光谱功率分布及色度,进而研究了每个光学参数的特点。根据

  https://www.alighting.cn/resource/20110922/127093.htm2011/9/22 17:47:59

led光谱对纤细角毛藻和亚心形扁藻生长的影响

选取有着较高经济价值的纤细角毛藻以及亚心形扁藻为实验对象,在光照恒温培养箱中用红、绿、蓝、白led集成不同光谱成分的光源与传统荧光灯进行对照培养实验。通过对比生长速率表明,与荧

  https://www.alighting.cn/resource/20110920/127113.htm2011/9/20 13:19:21

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