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峰。结合激发光谱、吸收光谱以及xrd分析表明:ceo2薄膜在高温下容易发生失氧反应,出现ce4+→ce3+离子转变,ce3+离子在紫外光的激发下,电子由o2p跃迁到5d能级,再由5
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126965.htm2011/10/25 14:41:00
5(x=0,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5,0.6,0.8)系列,利用xrd和荧光光谱仪等对其进行了研究.结果表明这系列荧光粉可以被近紫外光(396nm)和蓝光(466nm)有
https://www.alighting.cn/2011/10/24 15:09:16
采用高温固相法制备了ligd1-xeux(moo4)2钼酸盐红色发光粉,利用xrd和发光光谱技术对粉体进行了性能表征。结果表明:该系列发光粉均为四方晶系的白钨矿结构,能够被近紫外
https://www.alighting.cn/2011/10/24 14:50:26
采用固相法制备了一种新型的白光led用lisrbo3∶sm3+红色发光材料,并研究了材料的光谱特性.材料的激发与发射光谱显示其能够被404nm近紫外光激发,发射599nm红光,很
https://www.alighting.cn/2011/10/24 14:35:54
采用高温固相反应方法制备了用于白光发光二极管的sr3sio5:eu2+发光材料. 测量了eu2+掺杂浓度为0.01 mol时样品的激发与发射光谱, 其均为多峰宽带, 发射光谱主峰
https://www.alighting.cn/2011/10/24 14:16:05
利用光谱椭偏仪,系统研究了用脉冲激光沉积(pld)方法在si(100)基片上,温度分别为400℃,500℃,600℃和700℃制备的zno薄膜的光学特性。利用三层cauchy散
https://www.alighting.cn/2011/10/20 13:44:44
利用溶胶-凝胶法,在普通载玻片上使用旋转涂膜技术制备了具有c轴择优取向生长的na-mg共掺杂的zno薄膜。用xrd、sem、光致发光(pl)及透射光谱对薄膜样品进行了表征。
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127006.htm2011/10/18 14:46:03
在分子束外延的过程中,使用低温衬底(200-300摄氏度)生长的gaas(ltg-gaas)在化学配比,结构和性能上与普通衬底温度(600摄氏度)相比都有着不同的特点,这些差异可
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127008.htm2011/10/18 14:16:09
关,生长温度由800℃降低到740℃,in组份的从0.22增加到 0.45 ;室温ingan光致发光光谱(pl)峰全半高宽(fwh m)为15.5 nm;ingan/gan量子阱
https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18
运用偏振衰减全反射傅立叶变换红外光谱技术 (atr-ftir) ,研究了 si(1 1 1 )在不同比例的 nh4f-hcl溶液中腐蚀后的表面形态。通过分析表面振动模型的偏振波长
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:03:59
