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n缓冲层→生长n型gan→生长ingan/gan多量子阱发光层→生长p型aigan层→生长p型gan层→键合带ag反光层并形成p型欧姆接触电极→剥离衬底并去除缓冲层→制作n型掺si
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
n晶格为六方晶系的würtzite结构，因此具有压电效应，界面应力产生的实时电场可以扰乱了led内的电流分布。不仅如此，金属基材即使不自接口剥离，其膨胀也可能撑裂缺陷的某中区，以
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126774.html2011/1/9 21:13:00
明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→sio2 沉积→窗口图形光刻→sio2 腐蚀→去胶→n极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→p 极图形光刻→镀膜→剥
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127001.html2011/1/12 0:49:00
→生长ingan/gan多量子阱发光层→生长p型aigan层→生长p型gan层→键合带ag反光层并形成p型欧姆接触电极→剥离衬底并去除缓冲层→制作n型掺si层的欧姆接触电极→合金
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
n led外延片和新基板焊接剥离技术，利用lp-mocvd系统在si(111)衬底上成功生长出了高质量的ingan mqw蓝光led外延片，x射线双晶对称和非对称摇摆曲线的半高宽已经达
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
把铜箔绝缘体和铝板粘结起来。有一些led灯具，虽然散热器是经过精心设计，但是很快就坏，问题就是出在采用了热阻很大的铝基板或是剥离强度很差的铝基板。用一段时间，电路薄膜就翘了起来，也
http://blog.alighting.cn/maoyuhai/archive/2011/3/7/139187.html2011/3/7 16:05:00
片上形成硅化物层再进行键合就可以形成一种新的结构。由于硅化物的电导率很高,因此可以代替双极型器件中的隐埋层,从而减小rc常数。 六、 镭射剥离技术(llo) 镭射剥离技术(ll
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143431.html2011/3/17 21:54:00
→窗口图形光刻→sio2腐蚀→去胶→n极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→p极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。其实外延片的生产制作过程是非常复杂的,在展完外延片
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229935.html2011/7/17 23:24:00
多技术和观念上的突破，si衬底gan基材料生长越来越成为人们关注的焦点。我国南昌大学就首先突破了硅基ganled外延片和新基板焊接剥离技术，利用lp-mocvd系统在si(111)
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
商的口袋。从产业现阶段的需求来看，后段切割、连接导线、雷射剥离等设备的需求仍然平缓，不过预期至2015年，市场平均年成长率将有34%，如下图所示。 资料来源：yole
http://blog.alighting.cn/VisEraLED/archive/2011/7/26/230916.html2011/7/26 21:42:00
