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GaN是极稳定、坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN具有高的电离度，在ⅲ—ⅴ族化合物中是最高的（0.5或0.43）。在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。
https://www.alighting.cn/resource/20110331/127800.htm2011/3/31 14:58:54
n（氮化镓）和砷磷材料的mini及micro led的批量生产能
https://www.alighting.cn/news/20200319/167199.htm2020/3/19 9:59:33
近日，裕隆集团转投资led外延厂广镓2008年财报出炉，其每股盈余为1.46元新台币，由于目前市况不佳，公司决撤回上市申请，待股市好转后再重新申请上市。
https://www.alighting.cn/news/20090219/118907.htm2009/2/19 0:00:00
爱思强股份有限公司8月14日宣布，台湾中央大学向其订购一套新的mocvd系统。此次订购的1x6英寸爱思强近耦合喷淋头? mocvd系统，将用于在6英寸的硅基材上生长氮化镓外延结
https://www.alighting.cn/news/20120815/114421.htm2012/8/15 11:48:41
对在sic衬底上采用mocvd方法制备的GaN和GaN：mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱进行了对比研究。
https://www.alighting.cn/resource/20141223/123875.htm2014/12/23 11:11:59
9月21日，led芯片大厂晶电控告广镓专利侵权案判决出炉，法院宣判晶电主张专利无效，广镓获得胜利。
https://www.alighting.cn/news/20090922/119162.htm2009/9/22 0:00:00
针对led的散热问题，led产业的许多先进解决方案中，处处采用了一种关键性材料-氮化硼(boron nitride,bn)，该材料具有高绝缘性、高导热性、高润滑性、耐高温和不沾
https://www.alighting.cn/news/20070614/106033.htm2007/6/14 0:00:00
半导体材料作为新材料发展重点之一，将以高纯度、大尺寸、低缺陷、高性能和低成本为主攻方向，逐步提高关键材料自给率。开发电子级多晶硅、大尺寸单晶硅、抛光片、外延片等材料，积极开发氮化
https://www.alighting.cn/news/20120228/99663.htm2012/2/28 14:18:57
led芯片厂广镓光电（8199）2月营收达新台币2亿5971万，年增210.98％。广镓累计前2月营收5亿386万元，年增长261.99％。
https://www.alighting.cn/news/20100312/117685.htm2010/3/12 0:00:00
采用mocvd技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了n极性GaN薄膜。
https://www.alighting.cn/2014/11/27 14:08:56
