led蓝宝石基板

蓝宝石(al2o3，英文名为sapphire)为製成氮化镓(GaN)磊晶发光层的主要基板材质，GaN可用来製作超高亮度蓝光、绿光、蓝绿光、白光led。1993年日亚化(nichi

  https://www.alighting.cn/resource/20111201/126834.htm2011/12/1 10:34:22

新世纪光电blue inGaN/ GaN led qg38 (38x38) chips规格说明书

  https://www.alighting.cn/2011/11/21 14:47:47

功率led热特性分析

握led 器件的温升规律便成为了提高设备工作可靠性和芯片结构设计的关键所在。本文通过标准电学法对不同颜色的1w 功率led 及不同功率的GaN 基白光led 的结温和热阻进行了测

  https://www.alighting.cn/resource/2011/11/3/15724_14.htm2011/11/3 15:07:24

探秘：硅上氮化镓(GaN)led

硅上氮化镓(GaN)led的优点是不必受应力的影响，一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率，制备出低位错密度的扁平型150mm外延片，并将这

  https://www.alighting.cn/2011/11/1 11:53:19

揭开led最鲜为人知的秘密

导读： 　　效率下降是阻碍GaN基led在高电流密度这一重要的新兴应用领域大施拳脚的主要原因。但rpi的研究人员表示，通过采用极性匹配的外延结构可以克服这一缺

  https://www.alighting.cn/resource/2011/11/1/10522_44.htm2011/11/1 10:52:02

si基zno/ga_2o_3氨化反应制备GaN薄膜

利用射频磁控溅射法在si(111)衬底上先溅射zno缓冲层,接着溅射ga_2o_3薄膜,然后zno/ga_2o_3膜在开管炉中850℃常压下通氨气进行氨化,反应自组装生成GaN薄

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126963.htm2011/10/25 14:55:29

si衬底GaN基蓝光led老化性能

报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25

si衬底GaN基led外延薄膜转移至金属基板的应力变化

采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的GaNmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的GaN薄

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12

si衬底GaN基led理想因子的研究

首次报道si衬底GaN led的理想因子。通过GaN ledi-v曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与x射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时s

  https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29

白光led应用于室内照明的分析与探讨

绍了GaN基白光led应用在室内照明领域的发展趋势,从视觉指标、光学参数、封装技术、价格等方面出发,指出了白光led在日常照明普及过程中的一些主要问题,并对这些问题做了详细的分析与探

  https://www.alighting.cn/2011/10/24 13:56:27