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oled器件制作的关键步骤(图)

作为阳极的ito 表面状态好坏直接影响空穴的注入和与有机薄膜层间的界面电子状态及有机材料的成膜性。

  https://www.alighting.cn/news/200822/V14003.htm2008/2/2 11:35:54

背照灯用led器件 色彩表现范围扩大25%

夏普开发出了可基本保持液晶面板的画面亮度不变、同时将色彩表现范围扩大25%的背照灯用led器件。液晶单元不变,只在背照灯上采用这种led器件,便可实现色彩表现范围达到nts

  https://www.alighting.cn/pingce/20131225/121609.htm2013/12/25 19:08:50

科锐与锐高签署合作协议,共同服务于中国照明企业

上海科锐光电发展有限公司和锐高照明电子(上海)有限公司于2015年3月31日在扬州签署战略合作协议,宣布将充分发挥各自在led器件照明控制系统的优势,采用cob器件和先进控制技

  https://www.alighting.cn/news/20150402/110120.htm2015/4/2 15:11:42

ns-csp 1010系列led器件——2015神灯奖申报技术

ns-csp 1010系列led器件,为佛山市国星光电股份有限公司2015神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20150402/84093.htm2015/4/2 15:08:22

闪光灯led器件——2018神灯奖申报技术

闪光灯led器件,为佛山市国星光电股份有限公司2018神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20180226/155294.htm2018/2/26 15:12:11

gan基led外延材料缺陷对其器件可靠性的影响

采用x光双晶衍射仪分析了gan基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成gan-led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的gan-led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的

  https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55

中科院物理所独创硅基氧化锌单晶材料及光电子器件技术

型n-zno/i-mgo/p-si双异质结p-i-n紫外探测器结构,研制成功si基zno可见盲紫外探测器原理型器件。其独创的硅基氧化锌单晶材料生长工艺以及新型器件结构设计与制备技术为我国在光电子技术领域的自主创

  https://www.alighting.cn/resource/20090610/128702.htm2009/6/10 0:00:00

科锐正式商业化量产超大功率xhp led器件

科锐(nasdaq: cree)宣布超大功率xlamp? xhp led器件实现商业化量产。这一新型的led器件能够帮助降低最高40%的照明应用系统成本。xlamp? xhp5

  https://www.alighting.cn/pingce/20141218/121535.htm2014/12/18 13:56:43

非极性和半极性面氮化物材料和器件生长

《非极性和半极性面氮化物材料和器件生长》内容:lain-aigan-gan,研究动机,材料的生长和表征;gan-ingan材料,研究动机,材料的生长和表征,在沟槽gan模板层上生

  https://www.alighting.cn/resource/2011/5/6/182815_98.htm2011/5/6 18:28:15

2013ls:美卡乐-高可靠性全彩led器件封装技术评价

本资料来源于2013新世纪led高峰论坛,是由杭州美卡乐光电有限公司的江忠永/总经理主讲的关于介绍《高可靠性全彩led器件封装技术评价》讲义资料,现在分享给大家,欢迎下载附件查

  https://www.alighting.cn/resource/20130618/125501.htm2013/6/18 16:49:51

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