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采用溶胶凝胶法成功地制备出氮化镓薄膜.以单质镓为镓源制备镓盐溶液、柠檬酸为络合剂制备出前驱体溶胶,再甩胶于si(111)衬底上,在氨气氛下热处理制备出gan薄膜.x射线衍射(xr
https://www.alighting.cn/resource/20110919/127128.htm2011/9/19 9:09:10
本文为《标准gan外延生长流程》以图文结合的方式阐述了gan基外延片的生长过程与流程,使读者能够直观的学习到复杂的外延过程。
https://www.alighting.cn/resource/20121105/126308.htm2012/11/5 17:17:49
本文为2012亚洲led高峰论坛上晶能光电(江西)有限公司赵汉民先生所做之《硅衬底大功率led芯片的产业化及应用》的精彩演讲,本文主要围绕着硅衬底的led技术展开,到硅衬底le
https://www.alighting.cn/2012/6/26 15:44:39
能耗减半的关键点是采用半导体材料碳化硅(sic)与硅基氮化镓(gan-on-si),凭借这些材料的电子属性可设计出紧凑且高效的功率电子电路。目前英飞凌已在其jfet和600v
https://www.alighting.cn/news/20140703/105266.htm2014/7/3 9:01:01
近日,由中国科学院半导体研究所研发的氮化镓蓝光半导体激光器研究取得重大突破,首次实现室温连续激射的氮
https://www.alighting.cn/news/2007724/V6183.htm2007/7/24 11:03:48
delta掺杂技术是在维持氨气流量不变的情况下,通过选择性打开或者关闭三甲基镓和硅烷来实现。采用delta掺杂技术后,led器件的esd值从1200伏提高到4000伏以上,而
https://www.alighting.cn/news/20111017/99955.htm2011/10/17 10:49:53
厦门市三安光电科技有限公司将购买最新型大功率4台movcd及相关配套进口设备,预计总投资约3,000万美元,新增氮化镓(蓝、绿光)产品产能50%,计划2009年10月份到货安装调
https://www.alighting.cn/news/20090810/117573.htm2009/8/10 0:00:00
gan(氮化镓)作为可大幅降低电力损耗的新一代功率半导体备受关注。利用gan功率元件的环境目前正在迅速形成。很多企业将在2011年下半年至2012年期间开始供货gan类功率元
https://www.alighting.cn/resource/20110914/127148.htm2011/9/14 11:52:00
日前外媒报导,北卡罗莱纳州立大学发现了一种通过降低氮化镓薄薄膜中的2~3个数量级缺陷,来提高led发光材料的质量的新技术,研究人员介绍,通过该技术,相同的输入电能能够多产生2
https://www.alighting.cn/news/20110627/100654.htm2011/6/27 10:11:29
aixtron的硒今天宣布,从现有的客户吉林大学中国新的mocvd系统秩序。合同是1 ccs的1 3x2的-英寸晶圆的配置,这将被专用镓氮化物材料的成长紫外线和白堆指示
http://blog.alighting.cn/yinjideng/archive/2012/8/18/286384.html2012/8/18 13:47:06