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aixtron的硒今天宣布，从现有的客户吉林大学中国新的mocvd系统秩序。合同是1 ccs的1 3x2的-英寸晶圆的配置，这将被专用镓氮化物材料的成长紫外线和白堆指示
http://blog.alighting.cn/yinjideng/archive/2012/8/18/286384.html2012/8/18 13:47:06
伦斯勒理工学院的研究人员发明了一种能大大提高绿色led发光量的制造方法：在led的蓝宝石衬底和氮化镓层的交界处进行纳米级蚀刻,使led产生绿光，并且在光提取,内部效率和发光量方
https://www.alighting.cn/news/20110509/100509.htm2011/5/9 10:38:49
采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(led)外
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15
介绍了一种带有凹槽和硅通孔(throughsiliconvia，tsv)的硅基制备以及晶圆级白光led 的封装方法。针对硅基大功率led 的封装结构建立了热传导模型，并通过有限
https://www.alighting.cn/2014/7/24 9:53:19
正申请iso14001安全与环境协议认证，将针对高亮度led（hbled）的需求上升，大幅增加其制程所使用的三甲基镓（tmg）、三乙基镓（teg）和叁甲基铟（tmi）的产
https://www.alighting.cn/news/20120316/113753.htm2012/3/16 14:41:15
采用适合宽禁带半导体材料的电化学电容电压(ecv)分析仪,对掺硅gan外延片用硫酸逐层进行了精密腐蚀后,在此基础上得到了在进口mocvd设备上生产的gan基外延片的载流子浓度纵
https://www.alighting.cn/resource/20131029/125182.htm2013/10/29 10:01:55
料的氮化
https://www.alighting.cn/news/2012513/n223539678.htm2012/5/13 21:13:55
led芯片的生产离不开镓铟等稀有金属，而无线通信又离不开锗硅等金属，随着智能led照明行业的兴起和发展，对于稀有金属的消费量有望逐步释放。
https://www.alighting.cn/news/2014128/n442867847.htm2014/12/8 13:42:30
对ingan/gan多量子阱蓝光和绿光led进行了室温900 ma电流下的电应力老化,发现蓝光led老化到24 h隧穿电流最小,绿光led到6 h隧穿电流最小;同时,两种led的反
https://www.alighting.cn/2013/4/10 11:40:42
2010年6月10日，“亚洲led照明高峰论坛 -- led器件及系统配套—封装、驱动、电源、控制系统”专题分会在广州琶洲展馆b区8号会议厅南厅举行。来自台湾采钰科技有限公司晶圆
https://www.alighting.cn/news/20110725/109224.htm2011/7/25 15:30:42
