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测量了不同阱宽in0.2ga0.8as/gaas单量子阱的pl谱的峰值波长和荧光谱线半峰全宽随温度的变化。利用varshni公式对实验峰值波长进行拟合,得到了新的参数。结果表明,
https://www.alighting.cn/resource/20110921/127109.htm2011/9/21 9:05:53
应用一种新颖的无损伤测量技术-连续波电光检测法(cweop)对gaas/gaalas单异质结发光管列阵电场分布进行了扫描测量.实验结果反映了器件内电流注入的方向和载流子扩展情
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127134.htm2011/9/16 14:25:52
本文介绍了荧光灯和hid气体灯电子镇流器的差异;分析了解决hid气体灯声共振问题的不同方法的特点，重点对低频方波电子镇流器进行介绍;最后介绍了hid气体灯电子镇流器的市场现状并对
https://www.alighting.cn/resource/2011/9/14/102949_23.htm2011/9/14 10:29:49
现了较高的(222)择优取向;随着膜层厚度的增加,该衍射峰对应的2θ衍射角逐渐向大角度方向移动,同时该衍射峰的半峰全宽逐渐减小,平均晶粒尺寸增
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127167.htm2011/9/9 9:52:23
浪涌也叫突波，顾名思义就是超出正常工作电压的瞬间过电压。本质上讲，浪涌是发生在仅仅几百万分之一秒时间内的一种剧烈脉冲，。可能引起浪涌的原因有：重型设备、短路、电源切换或大型发动
https://www.alighting.cn/resource/20110907/127182.htm2011/9/7 14:02:45
介绍了程控恒流源电路的设计。该程控恒流源电路的原理是由单片机片内定时器输出的脉宽调制信号产生可控的电压输出,并用该电压控制恒流源产生可控电流,通过单片机的键盘接口对输出电流进行设
https://www.alighting.cn/resource/20110907/127186.htm2011/9/7 9:45:45
采用射频反应磁控溅射的方法,在经过氧化处理的al2o3(0001)基片上制备了具有良好调制结构的zno/mgo多层膜量子阱.利用x射线反射率测量、x射线衍射分析、电子探针显微分析
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27
度的增加,图形的深度增加。腐蚀后图形阵列排布整齐,所有图形都方向一致,这与蓝宝石本身晶体性质有关。腐蚀液温度对外延后gan的影响也比较大,随着腐蚀液温度的增加,(002)半峰宽逐渐增
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127192.htm2011/9/6 13:52:00
以zno薄膜为敏感材料的新型宽量程光纤温度传感器打下了良好的基础
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127196.htm2011/9/5 14:47:06
x射线摇摆曲线中,其(0002)面及(10-12)面的半峰全宽分别降低至202.68 arcsec,300.24 arcsec。透射光谱中,其透射率最高,调制深度最大;光致发光谱的
https://www.alighting.cn/resource/20110905/127200.htm2011/9/5 10:19:25
