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光损耗、芯片特性大幅度改善，发光效率达100流明/瓦（100 ma，610 nm），外量子效率更达到55%（650 nm），而面朝下的倒装结构使p-n结更接近热沉，改善了散热特

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

光损耗、芯片特性大幅度改善，发光效率达100流明/瓦（100 ma，610 nm），外量子效率更达到55%（650 nm），而面朝下的倒装结构使p-n结更接近热沉，改善了散热特

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

光损耗、芯片特性大幅度改善，发光效率达100流明/瓦（100 ma，610 nm），外量子效率更达到55%（650 nm），而面朝下的倒装结构使p-n结更接近热沉，改善了散热特

http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

光损耗、芯片特性大幅度改善，发光效率达100流明/瓦（100 ma，610 nm），外量子效率更达到55%（650 nm），而面朝下的倒装结构使p-n结更接近热沉，改善了散热特

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

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http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

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http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

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http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16

陷提高效率图2是具备ingan/gan系量子井结构之led发光波长与外部量子效率(亦即取光效率)的变化特性，图中的r、￡、◆符号分别是日亚化学与cree，以及21世纪光

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134096.html2011/2/20 22:19:00

s shift，以及它的温度依存性发生原因，也就是说1.与2.的模式祇能解释发光现象是挶限激发子所造成的。　降低格子缺陷提高效率图2是具备ingan/gan系量子井结构之led发光波长

http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230338.html2011/7/20 0:15:00

、幕墙与结构展览会热线咨询：陈星 13683554888 时间：2011年3月29—4月1日地点：上海新国际博览中心主办单位：住建部·中国建筑文化中心意大

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