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一份来自新世纪led有奖征稿活动的关于《非极性gan薄膜及其衬底材料》的资料，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/4/12 13:01:03
友华采用同时烧结积层陶瓷和高导热的银导体制成的低温共烧陶瓷(ltcc)，并在基板内层配置散热板，提高了散热性。另外，通过在倒装芯片封装表面涂覆微粒子膏，并在薄膜上形成镀金层，从而
https://www.alighting.cn/pingce/20130411/121828.htm2013/4/11 11:08:33
物复合材料和金属复合材料，用于电子包装和导热控制（特别是导热界面材料，低热膨胀的热导体，电子屏蔽的热导体，z－轴导电薄膜，无玻璃导电厚膜，和电磁屏蔽材料）。发明了炭黑导热膏（已获
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/4/10/314124.html2013/4/10 14:52:12
将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(gan)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
内的一系列技术改进，led产品在光效方面实现了巨大突破。薄膜芯片技术是超亮led芯片生产中的核心技术，能够减少各侧面的光输出损耗，并能借助底部的反射面使97%以上的光线从正面输出。这不
http://blog.alighting.cn/174963/archive/2013/4/6/313540.html2013/4/6 11:05:48
利用金属有机化学气相沉积(mocvd)法在si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的ingan/gan蓝光led薄膜并制备成垂直结构发光二极管(vleds),研究了p层厚度即p
https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48
本论文主要围绕提高g8n基led的光提取效率之激光剥离技术以及基于激光剥离技术的垂直型gan基l即器件的制备进行研究。通过激光剥离并结合晶体键合技术，成功地将gan薄膜从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/3/27 13:42:17
采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(led)外
https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15
一尺寸的纳米粒子，这能有效增强敏感的薄膜元件的稳定性，而可导致短路的过大尺寸粒子则被排除在外。 此款彩色硅基发光二极管还具有不含有任何重金属的优势。与其他使用硒化镉、硫化镉或硫化
http://blog.alighting.cn/jadsion/archive/2013/3/25/312349.html2013/3/25 14:06:29
根据美国商业资讯报导，极特先进科技公司(gt advanced technologies)(nasdaq:gtat)与soitec(nyse euronext:soi)宣布一项开发
https://www.alighting.cn/news/20130320/112560.htm2013/3/20 11:28:14
