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对led发光和亮度控制的原理

我们知道led发光色彩很丰富,那么在实际应用中,led的发光,亮度是如何达到控制的?

  https://www.alighting.cn/resource/20101126/128189.htm2010/11/26 18:20:58

基于led应用的分布布拉格反射器

从材料体系、结构设计和降低串电阻方法等方面系统阐述了分布布拉格反射器(dbr) 在发光二极管(led)器件中的发展情况,并对分布dbr 的发展提出了几点研究意见。

  https://www.alighting.cn/2014/7/9 15:01:20

硅晶圆发光技术探索

晶长膜领域中,要求可以同时实现高辉度、低成本、低消费电力的材料製作技术。平面型led的场合,基于发光元件高辉度要求,不断增大发光元件的发光面积,随着该面积变大,消费电力也随着急遽

  https://www.alighting.cn/2012/10/11 12:08:00

热特性表征中的工艺现状分析

本文讲述关于热特性表征中的工艺分析,按照jesd51-14和cie127-2007的规定,利用jedec标准静态试验进行瞬态温度测量提高了发光二极管(led)热特性测量的精确

  https://www.alighting.cn/2011/12/16 13:39:56

zno/znmgo 单量阱室温发光性质的研究

室温下观察到zno/znmgo 单量阱的量约束效应,这说明生长的单量阱有良好的界面和结晶性质。

  https://www.alighting.cn/resource/20130121/126147.htm2013/1/21 9:38:45

半导体发光二极管芯片测试方法

led 芯片测试方法还没有相应的标准,这样led芯片作为产品交货时,缺乏相应的技术要求来规范产品的质量等级和性能要求。

  https://www.alighting.cn/2012/5/7 11:07:07

激光剥离技术实现垂直结构gan基led

为改善gan 基发光二极管的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分激光器脉冲激光能量密度为400mj/ cm2 的条件下, 将gan 基led 从蓝宝

  https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48

硅衬底gan基led外延生长的研究

采用在aln缓冲层后原位沉积sin掩膜层,然后横向外延生长gan薄膜。通过该法在硅衬底上获得了1.7μm无裂纹的gan薄膜,并在此基础上外延生长出了gan基发光二极管(led)外

  https://www.alighting.cn/2013/3/26 11:05:15

led发光效率提升的研究

本文主要针对下游led封装进行了研究,阐述led发光效率提升的方法。研究从封装树脂材料、荧光粉和聚光腔结构参数优化三方面提升白光led的发光效率。介绍了镜片的结构,led的封装工

  https://www.alighting.cn/resource/2013/10/28/105932_31.htm2013/10/28 10:59:32

发光二极管工作电压(led)

附件为《发光二极管工作电压(led)》ppt,欢迎大家下载学习!

  https://www.alighting.cn/resource/2014/7/11/102232_69.htm2014/7/11 10:22:32

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