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探究矽衬底GaN基led技术与前景

目前市场上led用到的衬底材料有蓝宝石、碳化矽sic、矽si、氧化锌 zno、 以及氮化镓GaN,中国市场上99%的衬底材料是蓝宝石,而就全球范围来看,蓝宝石衬底的led市场份

  https://www.alighting.cn/2013/2/18 14:09:56

科锐推出突破性GaN基固态放大器平台

tom dekker 表示:“与同频率范围的 gaas 电晶体相比,科锐0.25微米GaN hemt裸芯片产品系列拥有更显著的增益、效率以及功率密度。更高的增益能够实现更高效

  https://www.alighting.cn/pingce/20120711/122143.htm2012/7/11 18:04:27

GaN基倒装焊led芯片的光提取效率模拟与分析

采取蒙特卡罗光线追踪方法,模拟GaN基倒装led芯片的光提取效率,比较了蓝宝石衬底剥离前后,蓝宝石单面粗化和双面粗化、有无缓冲层下led光提取效率的变化,并对粗化微元结构和尺寸

  https://www.alighting.cn/resource/20140530/124544.htm2014/5/30 13:21:19

bluglass公司6英寸玻璃衬底GaN led发出蓝光

2007年6月7日,澳大利亚bluglass公司称其在直径6英寸镀膜玻璃晶片上沉积的GaN发出蓝光,这在世界上是第一次。大尺寸玻璃晶片上高质量led材料的沉积技术的进步可能最终带

  https://www.alighting.cn/resource/20070611/128507.htm2007/6/11 0:00:00

日本开发出使用氧化镓基板的GaN类led元件

外媒报导,日本田村制作所与光波公司,开发出了使用氧化镓基板的GaN类led元件,预计该元件及氧化镓(ga2o3)基板可在2011年度末上市。该led元件与以前使用蓝宝石基板的le

  https://www.alighting.cn/news/20110329/100897.htm2011/3/29 17:46:25

氧化对GaN基led透明电极接触特性的影响

研究了热退火对inGaN/GaN多量子阱led的ni/au p GaN欧姆接触的影响。发现在空气和n2气氛中交替地进行热退火的过程中ni/au接触特性显示出可逆现象。ni/au

  https://www.alighting.cn/2013/1/29 15:47:52

硅基GaN led及光萃取技术实现高性价比照明

传统的氮化镓(GaN)led元件通常以蓝宝石或碳化硅(sic)为衬底,因为这两种材料与GaN的晶格匹配度较好,衬底常用尺寸为2"或4"。业界一直在致力于用供应更为丰富的硅晶圆(6

  https://www.alighting.cn/resource/20130823/125384.htm2013/8/23 13:58:42

夏普宣称开发出“业内最高亮度”单一led器件

夏普于2013年2月7日宣布,开发出了亮度非常高的led器件“gw7gal50sgc”,并将于2013年3月5日开始样品供货(图)。该器件的光通量高达1.4万lm,夏普称这是10

  https://www.alighting.cn/pingce/2013219/n709448975.htm2013/2/19 9:28:38

如何评估与使用led光源器件?|微课实录

照明类产品主要是一些功率型器件,功率器件里面有high power类,还有smd类的一些中功率和大功率的产品。这类器件目前主要在照明产品使用较多。随着照明产品的模组化,可能有更

  https://www.alighting.cn/news/20160412/139209.htm2016/4/12 10:13:42

激光剥离垂直结构和基于介覌光子学GaN基led

一份出自北京大学,关于《激光剥离垂直结构和基于介覌光子学GaN基led》的技术资料,现在分享给大家,欢迎下载附件。

  https://www.alighting.cn/2013/4/2 16:21:00

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