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韩led厂加码GaN板研发 抢led照明市场

韩国led厂商为了和中国业者竞争,首尔半导体(seoul semiconductor)和lg积极研发GaN板,封测厂也有意用硅取代环氧树脂(epoxy),强化产品效能、延长使

  https://www.alighting.cn/news/20141020/97272.htm2014/10/20 12:04:16

GaN类功率半导体能否成为新一代功率半导体的主角?(下)

GaN类功率半导体能否成为新一代功率半导体的主角?GaN类功率元件的成本、电气特性以及周边技术方面存在的课题是如何解决的呢?

  https://www.alighting.cn/resource/20110906/127189.htm2011/9/6 17:59:41

新一代GaN衬底技术 可大大提升led制造良率

一家由美国加州大学santa barbara分校氮化镓(GaN)实验室所独立的新创公司inlustra,日前宣布开发出一种可扩展的、用于非极性(nonplar)和半极

  https://www.alighting.cn/resource/20090420/128683.htm2009/4/20 0:00:00

台湾高光能 led光源明年投产

我国台湾地区中部科学园区日前核定第一家节能厂商——高光能科技进驻,高光能标榜拥有独步全球的led日光照明光源技术,和景美科技合作的生产线,预计2009年初投产上市,将使台

  https://www.alighting.cn/news/20080807/117018.htm2008/8/7 0:00:00

GaN衬底技术的新进展及应用

GaN为代表的第三代半导体材料是近十几年来国际上倍受重视的新型半导体材料,在白光led、短波长激光器、紫外探测器以及高温大功率器件中具有广泛的应用前景.因而开发适合规模制造ga

  https://www.alighting.cn/resource/20100607/128384.htm2010/6/7 0:00:00

GaN类功率半导体能否成为新一代功率半导体的主角?(上)

GaN(氮化镓)作为可大幅降低电力损耗的新一代功率半导体备受关注。利用GaN功率元件的环境目前正在迅速形成。很多企业将在2011年下半年至2012年期间开始供货GaN类功率元

  https://www.alighting.cn/resource/20110914/127148.htm2011/9/14 11:52:00

allos推新型硅氮化镓外延片产品,具有超过1400v的击穿电压

来自电子、微电子及纳米技术研究院 (iemn)的最新结果显示,allos即将推出的适用于1200v器件的硅氮化镓外延片产品具有超过1400v的纵向和横向击穿电压。

  https://www.alighting.cn/pingce/20180209/155200.htm2018/2/9 16:18:29

欧司朗任命林肇为亚洲公司新任首席执行官

欧司朗光电半导体亚洲有限公司近日迎来了一位新首席执行官。林肇先生于12 月初接管了公司的亚洲业务;;他同时还担任欧司朗光电半导体的全球销售副总裁。

  https://www.alighting.cn/news/2011126/n381036222.htm2011/12/6 8:42:51

陶氏化学于韩国天安设的三甲镓新厂动工兴建

美国化工业龙头陶氏化学(dow chemical co.)子公司dow electronic materials宣布,其位于南韩天安(cheonan)的三甲镓(tmg)新厂已

  https://www.alighting.cn/news/20101105/117936.htm2010/11/5 9:56:31

激光处理的蓝宝石可增加hvpe GaN厚度

日本和瑞士的研究人员已采用一种蓝宝石衬底激光方式使氢化物气相外延法(hvpe)生长的GaN层厚度增加200μm左右。研究人员来自纳米奇精密珠宝公司、洛桑联邦理工学院(epfl)

  https://www.alighting.cn/2013/3/12 10:06:21

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