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芬兰辛大学图书馆anttinen oiva照明设计

位于芬兰的辛大学图书馆anttinen oiva,椭圆的大门仿佛创造了巨大光明之泉。

  https://www.alighting.cn/case/2014/11/24/101723_86.htm2014/11/24 10:17:23

led标识应用:肯德餐饮连锁店案例分享

从2010年8月起,全新的肯德led立体发光字逐步取代了原有的霓虹灯管,成为中国第一连锁餐饮的品牌亮点。至2013年1月,中国境内所有的肯德餐厅都已完成了led新方案的替换工

  https://www.alighting.cn/pingce/20130828/121723.htm2013/8/28 10:28:18

美国阿尔伯克flyway view住宅照明设计

美国新墨西哥州阿尔伯克flyway view住宅位于美丽的阿尔伯克,阿尔伯克是美国新墨西哥州在人口上最大的城市,位于新墨西哥州中部地区、横跨格兰德河(rio grand

  https://www.alighting.cn/case/2012/3/29/154449_42.htm2012/3/29 15:44:49

GaN类功率半导体能否成为新一代功率半导体的主角?(下)

GaN类功率半导体能否成为新一代功率半导体的主角?GaN类功率元件的成本、电气特性以及周边技术方面存在的课题是如何解决的呢?

  https://www.alighting.cn/resource/20110906/127189.htm2011/9/6 17:59:41

新一代GaN衬底技术 可大大提升led制造良率

一家由美国加州大学santa barbara分校氮化镓(GaN)实验室所独立的新创公司inlustra,日前宣布开发出一种可扩展的、用于非极性(nonplar)和半极

  https://www.alighting.cn/resource/20090420/128683.htm2009/4/20 0:00:00

GaN衬底技术的新进展及应用

GaN为代表的第三代半导体材料是近十几年来国际上倍受重视的新型半导体材料,在白光led、短波长激光器、紫外探测器以及高温大功率器件中具有广泛的应用前景.因而开发适合规模制造ga

  https://www.alighting.cn/resource/20100607/128384.htm2010/6/7 0:00:00

GaN类功率半导体能否成为新一代功率半导体的主角?(上)

GaN(氮化镓)作为可大幅降低电力损耗的新一代功率半导体备受关注。利用GaN功率元件的环境目前正在迅速形成。很多企业将在2011年下半年至2012年期间开始供货GaN类功率元

  https://www.alighting.cn/resource/20110914/127148.htm2011/9/14 11:52:00

激光处理的蓝宝石可增加hvpe GaN厚度

日本和瑞士的研究人员已采用一种蓝宝石衬底激光方式使氢化物气相外延法(hvpe)生长的GaN层厚度增加200μm左右。研究人员来自纳米奇精密珠宝公司、洛桑联邦理工学院(epfl)

  https://www.alighting.cn/2013/3/12 10:06:21

GaN结构相变、电子结构和光学性质

运用第一性原理平面波赝势和广义梯度近似方法,对纤锌矿结构和氯化钠结构GaN的状态方程及其在高压下的相变进行计算研究,分析相变点附近的电子态密度、能带结构和光学性质的变化机制.

  https://www.alighting.cn/resource/20150305/123531.htm2015/3/5 9:53:05

松下开发出GaN衬底大功率白光led

2007年3月2日,松下(panasonic)宣布开发出使用GaN衬底的蓝光led芯片,其在350ma下的总辐射通量为355mw,外量子效率达38%。芯片样品的供应开始于三月

  https://www.alighting.cn/news/20070306/119681.htm2007/3/6 0:00:00

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