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日本开发出使用氧化镓基板的GaN类led元件

外媒报导,日本田村制作所与光波公司,开发出了使用氧化镓基板的GaN类led元件,预计该元件及氧化镓(ga2o3)基板可在2011年度末上市。该led元件与以前使用蓝宝石基板的le

  https://www.alighting.cn/news/20110329/100897.htm2011/3/29 17:46:25

氧化对GaN基led透明电极接触特性的影响

研究了热退火对inGaN/GaN多量子阱led的ni/au p GaN欧姆接触的影响。发现在空气和n2气氛中交替地进行热退火的过程中ni/au接触特性显示出可逆现象。ni/au

  https://www.alighting.cn/2013/1/29 15:47:52

微纳光学在led芯片中应用研究的综述

本文综述了led外延片表面的各种基于微纳光学结构的加工技术,如通过在led芯片表面上加工粗糙微结构、led芯片表面双层微结构、二维光子晶体结构、双光栅结构等。

  https://www.alighting.cn/2014/12/8 9:59:28

硅基GaN led及光萃取技术实现高性价比照明

传统的氮化镓(GaN)led元件通常以蓝宝石或碳化硅(sic)为衬底,因为这两种材料与GaN的晶格匹配度较好,衬底常用尺寸为2"或4"。业界一直在致力于用供应更为丰富的硅晶圆(6

  https://www.alighting.cn/resource/20130823/125384.htm2013/8/23 13:58:42

激光剥离垂直结构和基于介覌光子学GaN基led

一份出自北京大学,关于《激光剥离垂直结构和基于介覌光子学GaN基led》的技术资料,现在分享给大家,欢迎下载附件。

  https://www.alighting.cn/2013/4/2 16:21:00

GaN基功率led电应力老化早期的退化特性

大,衰减较快。该结果对GaN led的改进有一定参考价

  https://www.alighting.cn/2013/4/10 11:40:42

GaN基大功率白光led的高温老化特性

对大功率GaN基白光led在85℃下进行了高温加速老化实验。经6 500 h的老化,样品光通量退化幅度为28%~33%。样品的i-v特性变化表明其串联电阻和反向漏电流不断增大,原

  https://www.alighting.cn/resource/20130329/125786.htm2013/3/29 11:28:17

si衬底GaN基蓝光led老化性能

报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25

基于双光栅结构下特征参量与GaN基led光提取效率的动态关系

为解决光子在半导体和空气界面处的全反射导致的GaN基发光二极管外量子效率低下的问题,基于双光栅GaN基发光二极管芯片模型的基本构成,利用蒙特卡罗算法及波动方程理论进行模拟,分

  https://www.alighting.cn/resource/20130506/125645.htm2013/5/6 15:26:29

转移基板材质对si衬底GaN基led芯片性能的影响

在si衬底上生长了GaN基led外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。研究了这两种基板GaN基led芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大

  https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39

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