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传统的氮化镓(GaN)led元件通常以蓝宝石或碳化硅(sic)为衬底，因为这两种材料与GaN的晶格匹配度较好，衬底常用尺寸为2"或4"。业界一直在致力于用供应更为丰富的硅晶圆(6
https://www.alighting.cn/resource/20130823/125384.htm2013/8/23 13:58:42
一份出自北京大学，关于《激光剥离垂直结构和基于介覌光子学GaN基led》的技术资料，现在分享给大家，欢迎下载附件。
https://www.alighting.cn/2013/4/2 16:21:00
对大功率GaN基白光led在85℃下进行了高温加速老化实验。经6 500 h的老化,样品光通量退化幅度为28%～33%。样品的i-v特性变化表明其串联电阻和反向漏电流不断增大,原
https://www.alighting.cn/resource/20130329/125786.htm2013/3/29 11:28:17
大,衰减较快。该结果对GaN led的改进有一定参考价
https://www.alighting.cn/2013/4/10 11:40:42
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25
为解决光子在半导体和空气界面处的全反射导致的GaN基发光二极管外量子效率低下的问题,基于双光栅GaN基发光二极管芯片模型的基本构成,利用蒙特卡罗算法及波动方程理论进行模拟,分
https://www.alighting.cn/resource/20130506/125645.htm2013/5/6 15:26:29
合红、绿和蓝三色led发出的光，也可利用蓝光led和黄光荧光粉来实现。两种选择都需要基于GaN的蓝光led，所有不同类型的这种器件都有一个共同的缺点：大部分的光被束缚在有源区内，不
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120518.html2010/12/13 22:51:00
在si衬底上生长了GaN基led外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。研究了这两种基板GaN基led芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大
https://www.alighting.cn/2013/6/4 10:41:39
1993年世界上第一只GaN基蓝色led问世以来，led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的GaN基led均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电
https://www.alighting.cn/resource/20101124/128212.htm2010/11/24 17:57:30
n具有高的电离度,在ⅲ—ⅴ族化合物中是最高的(0.5或0.43)。在大气压力下,GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。它在一个无胞中有4个原子,原子体积大约为gaas的一半。因为其硬度
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230091.html2011/7/18 23:39:00
