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d，姗姗来迟 1907年，在英国马可尼电子公司工作的英国工程师亨利·约瑟夫-劳德第一次在一块碳化硅晶体里观察到电致发光现象。这种“电致发光”现象也奠定了led被发明的物理基
http://blog.alighting.cn/220048/archive/2014/10/13/358956.html2014/10/13 16:43:33
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底GaN基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能，其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段.
https://www.alighting.cn/2014/10/13 13:38:36
在图形化蓝宝石衬底生长低温缓冲层之前,通入少量三甲基镓(tmga)和大量氨气进行短时间的高温预生长,通过改变tmga 流量制备了4 个蓝光led 样品。
https://www.alighting.cn/2014/10/13 11:35:44
基igbt(绝缘栅双极型晶体
https://www.alighting.cn/pingce/20141013/121580.htm2014/10/13 9:55:57
GaN基蓝光led高亮度化对传统照明光源带来了很大冲击。简述了GaN材料和GaN基蓝光led器件结构的发展，阐述了为改善led性能的一些新措施，led在照明光源上的应用优势，给
https://www.alighting.cn/2014/10/11 11:37:06
静电引起的失效机理可以概述为二次缺陷和熔融通道的产生、深浅能级载流子的运动和辐射复合、非辐射复合之间的转变等因素引起的led 性能退化。
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124219.htm2014/10/11 10:09:34
在si衬底GaN 基蓝光led 芯片上生长了一层sion 钝化膜，使器件的光输出功率提高12%且有效降低了器件在老化过程中的光衰。
https://www.alighting.cn/resource/20141010/124221.htm2014/10/10 14:53:30
修二目前在美国加利福尼亚大学圣塔芭芭拉分校（ucsb）任教授一职。ucsb对于中村开发的GaN基半导体光器件表示，“这是在过去30年半导体材料科学领域中，最为重要的成就之一”。其
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2014/10/9/358745.html2014/10/9 16:35:03
置的晶体结构的led面板灯芯片的led芯片的下一个大的，在陶瓷板和陶瓷基板的共晶钎料层和导电层，在该区域产生的相应的引线，焊接电极中使用水晶led芯片和大规格陶瓷薄板焊接的焊接设备。这
http://blog.alighting.cn/90987/archive/2014/10/8/358692.html2014/10/8 16:09:48
替原来的光源，不仅能为人类节省大量能源，也能照亮全球更多地方。 蓝光led，姗姗来迟1907年，在英国马可尼电子公司工作的英国工程师亨利·约瑟夫-劳德第一次在一块碳化硅晶体里观察到
http://blog.alighting.cn/smartlight/archive/2014/10/8/358650.html2014/10/8 11:00:54
