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global foundries发表用于led驱动积体电路的bcdlitetm晶圆制程

aec-q100 group d高规格认证晶圆制程可应用于电力管理装置、音响扩大器、显示器、与led驱动积体电路。该项0.18um技术的基础是经过验证、用以大量制造消费者应用的制

  https://www.alighting.cn/news/20110914/115501.htm2011/9/14 10:13:37

采钰科技发表8英寸晶圆级led硅基封装技术

记者近日特别专访采钰科技总经理暨执行长林俊吉先生、研发暨品保组织副总经理谢建成博士与事业发展二处处长曾德富先生,深入探讨晶圆级led封装的优势以及未来led 封装市场趋势。

  https://www.alighting.cn/news/20100917/118477.htm2010/9/17 0:00:00

GaN led外延片微结构分析及性能研究

本文主要利用x射线衍射和透射电子显微镜技术对蓝宝石衬底上生长的GaN基led外延片的微结构进行了研究,主要研究工作为: 1.采用x射线衍射绝对测量法精确测量了GaN薄膜的晶格参

  https://www.alighting.cn/resource/20110916/127130.htm2011/9/16 15:30:52

led晶圆技术的未来发展趋势

汽相晶圆(hvpe)技术采用这种技术可以快速生长出低位错密度的厚膜,可以用做采用其它方法进行同质晶圆生长的衬底。并且和衬底分离的GaN薄膜有可能成为体单晶GaN芯片的替代品。hvp

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00

激光诱导下GaN的p型掺杂研究

采用激光诱导掺杂的方法对GaN进行p型掺杂。在GaN样品上溅射上一层zn,利用脉冲激光辐照样品,使得zn掺入GaN中,得到高浓度的p型掺杂。利用电化学c-v法对样品进行测试,得

  https://www.alighting.cn/resource/2007524/V12577.htm2007/5/24 10:09:31

激光诱导下GaN的p型掺杂研究

采用激光诱导掺杂的方法对GaN进行p型掺杂。在GaN样品上溅射上一层zn,利用脉冲激光辐照样品,使得zn掺入GaN中,得到高浓度的p型掺杂。利用电化学c-v法对样品进行测试,得

  https://www.alighting.cn/news/2007524/V12577.htm2007/5/24 10:09:31

GaN非极性/半极性led与激光二极管新进展

ucsb 的shuji nakamura教授在题为《非极性/半极性led和ld的发展现状》的报告中介绍了极性c面led和用ammonothermal方法生长GaN块等相关问题。

  https://www.alighting.cn/news/20080726/103963.htm2008/7/26 0:00:00

18寸晶圆光罩规格,家登精密说了算!

一家隐身在土城、员工数不到两百人的小堡厂,靠着制作机台与塑胶盒子等,竟然能创造出将近50%的毛利率,还跃上世界舞台,成为台湾唯一一家18英寸晶圆光罩国际标准规格制定者! 2011

  https://www.alighting.cn/news/20110919/114599.htm2011/9/19 9:29:39

基于有限元分析法的激光剥离技术中GaN材料瞬态温度场研究

尽管随着对GaN材料发光机理的深入研究,GaN基发光二级光工艺制备关键技术取得重大突破、器件特性得到迅速提高,但蓝宝石衬底带来的问题有待进一步研究。

  https://www.alighting.cn/resource/20150206/123616.htm2015/2/6 11:44:00

三菱化学试制20mm×12mm大型m面GaN底板

三菱化学试制出了尺寸约为长20mm×宽12mm的大尺寸m面GaN底板。

  https://www.alighting.cn/resource/20070920/128532.htm2007/9/20 0:00:00

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