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为解决光子在半导体和空气界面处的全反射导致的gan基发光二极管外量子效率低下的问题,基于双光栅gan基发光二极管芯片模型的基本构成,利用蒙特卡罗算法及波动方程理论进行模拟,分
https://www.alighting.cn/resource/20130506/125645.htm2013/5/6 15:26:29
谱在500-700 nm可调、绝对量子产率达75%的荧光纳米晶材
https://www.alighting.cn/news/201356/n791951385.htm2013/5/6 13:46:27
有源层InGaN的v-pits缺陷密度降低一个数量级，led亮度提高30～40%，产品在科技部举行的全国行业评比中各项指标名列前矛。在薄膜生长journal of crysta
http://blog.alighting.cn/wanghuaibing/archive/2013/4/25/315572.html2013/4/25 17:20:51
利总量的43%，led封装占比约21%，外延及芯片占比分别为18%和17%，衬底占比约1%。外延方面，国内的量子阱以及缓冲层技术专利与国外存在量与质的差距。芯片方面，国内的芯片外形技
http://blog.alighting.cn/174963/archive/2013/4/22/315101.html2013/4/22 10:39:43
一份由深圳市量子光电子有限公司的裴小明/技术总监所整理主讲的关于《半导体照明led封装技术与可靠性》的讲义资料，现在分享给大家，欢迎大家下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/resource/20130417/125708.htm2013/4/17 14:54:21
层界面平整化技术，大大减小了界面纳米刺相互嵌入所引起的漏电，led器件寿命延长一倍。 2005年开发出有源层应力预释放led新结构，将有源层InGaN的v-pits缺陷密度降低一
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/4/17/314677.html2013/4/17 14:30:05
高亮度led主要分为红外光的gaas体系和algaas体系，红、橙、黄、绿色的algainp体系，绿色和蓝色的InGaN体系，以及紫外光的gan和algan体系。目前InGaN体
https://www.alighting.cn/news/20130412/90243.htm2013/4/12 9:44:22
通过对高功率InGaN(蓝)led倒装芯片结构+yag荧光粉构成白光led的分析,可以得出这种结构能提高发光效率和散热效果的结论。通过对白光led的构成和电流/温度/光通量的分
https://www.alighting.cn/2013/4/10 13:07:29
源比起来，二色性滤镜由于放置在光源前部而承受相对较低的热压，受使用时间的影响更小。2．光辐射的化学效应光化学作用是使物质分子发生化学变化的过程，变化的激活能量来自于对光子（光量子电磁
http://blog.alighting.cn/169785/archive/2013/4/10/313949.html2013/4/10 10:52:02
led产品外延结构的的内量子效率（iqe）对其亮度有着决定性的影响，而很多人的误解是iqe由mocvd工艺决定，其实iqe应该是由led照明外延材料的设计决定。而国内缺少的恰
http://blog.alighting.cn/174963/archive/2013/4/9/313815.html2013/4/9 9:36:11
