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士兰明芯高亮度红光LED芯片研发成功

2008年底士兰明芯科技有限公司开始开发高亮度红光芯片,技术团队不断调整试验方案、优化工艺参数,使不同热膨胀系数材料之间的金属键合工艺窗口更宽,键合良率和可靠性得到保障。

  https://www.alighting.cn/news/20090731/119439.htm2009/7/31 0:00:00

保护鸟类 巴德西岛灯塔替换红光LED

能的LED,领航公会的工作人员关闭了灯塔的灯

  https://www.alighting.cn/news/20140516/97654.htm2014/5/16 12:08:42

lp-mocvd生长InGaNInGaN/gan量子阱的研究

利用mocvd系统在al2o3衬底上生长InGaN材料和InGaN/gan量子阱结构材料。研究发现,InGaN材料中in组份几乎不受tmg与tmi的流量比的影响,而只与生长温度有

  https://www.alighting.cn/resource/20111018/127009.htm2011/10/18 14:04:18

卡内梅隆大学研发可识别环境的智能LED车灯

近日,卡内梅隆大学著名的机器人研究所宣布,其研究人员在英特尔和福特公司的资金支持下,设计了一种全新的智能LED车头灯。

  https://www.alighting.cn/pingce/20140912/121456.htm2014/9/12 9:35:35

amat退出薄膜太阳能电池业务 发力LED

amat公开了连续出现营业赤字的能源及环境解决方案部门的重组计划。该公司将退出成套提供薄膜类太阳能电池生产线的整体解决方案业务,转而致力于结晶类太阳能电池及LED业务。不

  https://www.alighting.cn/news/20100727/120904.htm2010/7/27 0:00:00

采用超亮InGaN技术的新款LED

日前,vishayintertechnology宣布,推出一款新型白光、无散射的3mmLED---vlhw4100,该LED针对高端应用进行了优化,可满足应用对极高发光强度的要

  https://www.alighting.cn/pingce/20100902/122989.htm2010/9/2 11:37:07

牺牲ni退火对衬底gan发光二极管p型接触影响的研究

本文通过在衬底发光二极管(LED)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖

  https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01

两会好声音:江西提出将衬底LED产业化升为国家战略

据最新消息,在两会期间江西代表团新增一项大会建议,提出将衬底LED产业化上升为国家战略予以重点推进。

  https://www.alighting.cn/news/20150309/83241.htm2015/3/9 10:49:07

衬底 + uv LED “天生一对”

晶能光电很早便将uv LED作为重点开拓的领域。2015年上半年,晶能光电推出了365-430nm高光效衬底uva LED产品。据uv LED市场总监汤文君介绍,目前衬底uv

  https://www.alighting.cn/news/20160701/141565.htm2016/7/1 14:34:14

苹果并不青睐oLED面板 MicroLED是终极目标

长远来看,苹果需要进入一个新的阶段,以相对低廉的价格制造出大量的MicroLED面板,而苹果为明年推出的iphone采用oLED面板只是过渡时期的方案。

  https://www.alighting.cn/news/20160831/143670.htm2016/8/31 9:35:52

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