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目m 与变压器变比N 对恒流效果的影响，为m 与 N 合理选择提供了依据，仿真与实验验证了优化设计的正确
https://www.alighting.cn/2013/2/1 14:37:23
研究了热退火对iNgaN/gaN多量子阱led的Ni/au p gaN欧姆接触的影响。发现在空气和N2气氛中交替地进行热退火的过程中Ni/au接触特性显示出可逆现象。Ni/au
https://www.alighting.cn/2013/1/29 15:47:52
y of commerce, New zealaNd 经过以上其中之一认证受理机构颁发证书后，打上认证公司缩写代码和登记证号即为”安全标示”，例如 “N12345”, 表示由Ns
http://blog.alighting.cn/85771/archive/2013/1/29/308903.html2013/1/29 13:22:08
http://blog.alighting.cn/lcsemma/archive/2013/1/26/308734.html2013/1/26 9:37:52
由镓(ga)和氮(N)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365Nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，gaN主要应用于光元件。通过混合铟(iN)和
https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42
加明显。在大量的采用照明灯具的场所如工厂、学校及机关等，通过采用高效节能灯管和电子镇流器，就可以大量节约用电，减少因发电而产生的so2、co、co2及N2o等废气和尘埃，达到减少污染
http://blog.alighting.cn/sunnysky/archive/2013/1/23/308402.html2013/1/23 9:01:29
时可用供电电源和所需效能也会影响连接方案的选择。 led的连接一般分为三种主要结构，即串联、并联(共阳极、共阴极、共阳极与共阴极)，以及串、并混联(2个led串联、N个le
http://blog.alighting.cn/159060/archive/2013/1/20/308187.html2013/1/20 19:19:37
=1;}sdo=0;sclk=1;sclk=0; //补1个clock，如果一次送出了N个点的数据，则需要补N个clock......
http://blog.alighting.cn/159060/archive/2013/1/20/308186.html2013/1/20 19:19:34
术（图三）。 根据斯涅尔定律（sNell's law）N1 siNθi = N2 siNθr，其中：N1为第一种媒介的折射率；θi 为入射角；N2为第二种媒介的折射率；θr为折射
http://blog.alighting.cn/159060/archive/2013/1/20/308125.html2013/1/20 19:10:02
现在led的cob封装，其实大家可以看到大多数的cob封装，包括日本的封装cob技术，他们都是基于里基板的封装基础，就是在里基板上把N个芯片继承集成在一起进行封装，这个就是大
http://blog.alighting.cn/88307/archive/2013/1/17/308004.html2013/1/17 16:54:51
