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利用电子束蒸发技术在P型硅衬底上沉积了200 nm厚的ceo2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126965.htm2011/10/25 14:41:00
以提高n在zno的固溶度。研究表明:n掺杂zno体系,由于n-2P和zn-3d态电子轨道杂化作用,在费米能级附近引入深受主能级,价带顶和导带底发生位移,导致禁带宽带变窄。而al-n
https://www.alighting.cn/2011/9/15 10:02:55
文章介绍了红外遥控发射器nb9148芯片的特性。在红外遥控接收装置中，传统的方法是采用专用的红外遥控接收器nb9149，但带来种种限制，因此，本文直接采用em78P156e单片
https://www.alighting.cn/resource/2013/8/23/11226_48.htm2013/8/23 11:22:06
赤崎和天野研究室于1992年在未使用ingan单晶的情况下，制作出了比以往的Pn结型更亮的蓝色led。是在P型algan和n型algan之间夹住掺杂了zn和si的gan层双异质结
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124149.htm2014/10/29 15:18:13
文章介绍了红外遥控发射器nb9148芯片的特性。在红外遥控接收装置中，传统的方法是采用专用的红外遥控接收器nb9149但带来种种限制，因此，本文直接采用em78P156e单片
https://www.alighting.cn/2014/1/15 16:30:37
极(P极，n极)，接下来就用激光切割外延片，然后百分百分捡，根据不同的电压，波长，亮度进行全自动化分检，也就是形成led晶片(方
https://www.alighting.cn/2013/10/11 11:32:22
https://www.alighting.cn/resource/20130613/125521.htm2013/6/13 15:08:42
本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化P型硅衬底上生长zno外延薄膜。引入高阻非晶sio2缓冲层，有效地降低了检测过程中单晶衬底对zno薄膜的电学性能影响。利用xrd，se
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:30:47
属氧化物化学气相沉积(mocvd)技术在图形蓝宝石衬底(Pss)上生长2μm厚的n型gan层,4层量子阱和200nm厚的P型gan层,形成led结构
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127207.htm2011/9/2 18:06:05
本文提出一种基于hdmi接口，提供1080P分辨率，10bit色深的led大屏幕显示控制系统。该系统模型的基本特点是多区域并行显示。视频处理器接收一路hdmi信号或融合2路hdm
https://www.alighting.cn/resource/20110806/127339.htm2011/8/6 14:51:49
