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led运作所产生的废热若无法有效散出，则会直接对led的寿命造成致命性的影响，因此，近年来高功率led散热问题的解决成为许多相关业者的研发标的。
https://www.alighting.cn/resource/20101022/128354.htm2010/10/22 0:00:00
近日消息，中国科学院福建物质结构研究所承担的高效低成本室内照明led关键材料与技术研发项目，日前通过验收。该项目面向室内照明的关键材料与共性技术进行研发，取得了几项成果。
https://www.alighting.cn/2013/1/9 11:16:02
1923年，罗塞夫（lossen.o.w）在研究半导体SiC时有杂质的p-n结中有光发射，研究出了发光二极管（led：lightemittingdiode），一直不受重视
https://www.alighting.cn/resource/200727/V8667.htm2007/2/7 14:52:47
对在SiC衬底上采用mocvd方法制备的gan和gan：mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱的进行了对比研究。
https://www.alighting.cn/resource/20150316/123470.htm2015/3/16 14:53:52
对在SiC衬底上采用mocvd方法制备的gan和gan：mg薄膜进行x射线衍射、扫描电镜和拉曼散射光谱进行了对比研究。
https://www.alighting.cn/resource/20141223/123875.htm2014/12/23 11:11:59
近几年来，硅衬底gan基led技术备受关注。因为硅(si)衬底具有成本低、晶体尺寸大、易加工和易实现外延膜的转移等优点，在功率型led器件应用方面具有优良的性能价格比。
https://www.alighting.cn/resource/20131220/124982.htm2013/12/20 10:34:55
利用x射线双晶多功能四圆衍射仪,对在si( 0 0 1 )衬底上使用常压化学气相方法 (apcvd)生长的3c SiC进行了微孪晶的分析.φ扫描证明了3c SiC外延生长于si衬
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:36:15
led用于照明存在一个共性的应用难题——散热，目前的led仅有20%～30%的光电转换效率，其余的能量转化为热量。若灯具led芯片中的热量不能有效散发，会使led芯片pn结温度过高
https://www.alighting.cn/resource/20140508/124590.htm2014/5/8 10:41:50
随着led 灯具行业的发展，作为led 背光衍生而出的led 面板灯，其光线均匀，无眩光，结构精致，得到了很多人的喜爱，是现代时尚室内照明的新潮流。led 面板灯在成都有多种叫法，
https://www.alighting.cn/resource/20140218/124852.htm2014/2/18 10:28:49
led 作为第四代照明光源，有光效高、寿命长、响应快和环保等特点，但是完全取代传统的光源还面临着许多技术难点，其中散热问题是限制led 灯具发展的一个重要因素。本文通过分析led
https://www.alighting.cn/resource/20131012/125242.htm2013/10/12 11:28:30
