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基于si衬底的功率型gan基led制造技术

界上第一只gan基蓝色led问世以来,led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的gan基led均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00

led外延片技术发展趋势及led外延片工艺

行选区刻蚀,一直深入到衬底。这样就形成了gan/缓冲层/衬底的柱状结构和沟槽交替 的形状。然后再进行gan外延片层的生长,此时生长的gan外延片层悬空于沟槽上方,是在原gan外延片

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00

[原创]散热原理(三)

且由于铝挤压技术含量及设备成本相对较低,所以铝材质很早就应用在散热器市场。铝挤技术简单的说就是将铝锭高温加热至约 520~540℃,在高压下让铝液流经具有沟槽的挤型模具,作出散热片初

  http://blog.alighting.cn/tangjunwen/archive/2011/2/18/133425.html2011/2/18 13:47:00

led晶圆技术的未来发展趋势

成了gan/缓冲层/衬底的柱状结构和沟槽交替 的形状。然后再进行gan晶圆层的生长,此时生长的gan晶圆层悬空于沟槽上方,是在原gan晶圆层侧壁的横向晶圆生长。采用这种方法,不需要掩膜,因

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00

全球八大led芯片制造商

全球八大led芯片制造商 1,cree   著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化硅(SiC),氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫

  http://blog.alighting.cn/sqslove/archive/2010/2/27/34476.html2010/2/27 14:14:00

全球知名led制造商简介

2,cree著名led芯片制造商,美国公司,产品以碳化硅(SiC),氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激光,射频(rf)

  http://blog.alighting.cn/nanker/archive/2010/3/3/34775.html2010/3/3 10:35:00

全球八大led芯片制造商

1,cree  著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化硅(SiC),氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激

  http://blog.alighting.cn/qq88655029/archive/2010/10/18/108682.html2010/10/18 15:21:00

八大全球led制造商

1,cree 著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化硅(SiC),氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激

  http://blog.alighting.cn/sztatts/archive/2011/6/22/222656.html2011/6/22 14:48:00

全球八大led芯片制造商

1,cree  著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化硅(SiC),氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258630.html2011/12/19 11:09:53

全球八大led芯片制造商

1,cree  著名led芯片制造商,美国cree公司,产品以碳化硅(SiC),氮化镓(gan),硅(si)及相关的化合物为基础,包括蓝,绿,紫外发光二极管(led),近紫外激

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261443.html2012/1/8 21:33:08

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