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s及其合金等称为第二代电子材料，宽禁带(eg2.3e v)半导体材料近年来发展十分迅速，成为第三代电子材料，主要包括SiC,zn se、金刚石和gan等。宽禁带半导体材料具有禁带宽
http://blog.alighting.cn/1059/archive/2012/3/15/267830.html2012/3/15 19:29:50
是开发蓝光led时，碳化矽(SiC)与氮化镓(gan)两大门派之争。这也是许多研发团队辛勤投入开发蓝光led元件时，必须痛苦抉择的两条截然不同的道路。 之前，全球许多大公司皆投
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114813.html2010/11/17 22:50:00
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261392.html2012/1/8 20:27:31
花。迄今为止，英飞凌科技电源管理产品家族涵盖功率器件(例如coolmos， optimos， SiC diode， SiC jfet等)、功率控制ic(例如pfc ic， ll
http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2012/9/21/290604.html2012/9/21 17:37:06
led外延片生长基本原理 led外延片生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有红宝石和SiC两种）上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120564.html2010/12/13 23:08:00
1993年世界上第一只gan基蓝色led问世以来，led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的gan基led均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
界上第一只gan基蓝色led问世以来，led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的gan基led均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电性和导热性差等原
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
行选区刻蚀，一直深入到衬底。这样就形成了gan/缓冲层/衬底的柱状结构和沟槽交替 的形状。然后再进行gan外延片层的生长，此时生长的gan外延片层悬空于沟槽上方，是在原gan外延片
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
且由于铝挤压技术含量及设备成本相对较低，所以铝材质很早就应用在散热器市场。铝挤技术简单的说就是将铝锭高温加热至约 520~540℃，在高压下让铝液流经具有沟槽的挤型模具，作出散热片初
http://blog.alighting.cn/tangjunwen/archive/2011/2/18/133425.html2011/2/18 13:47:00
成了gan/缓冲层/衬底的柱状结构和沟槽交替 的形状。然后再进行gan晶圆层的生长,此时生长的gan晶圆层悬空于沟槽上方,是在原gan晶圆层侧壁的横向晶圆生长。采用这种方法,不需要掩膜,因
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
