检索首页
阿拉丁已为您找到约 3613条相关结果 (用时 0.2320285 秒)

[转载]南安产业群条件得天独厚 各企业配合发展壮大

金制造起步,发展到现在的卫浴陶瓷、淋浴房等集成卫浴产品的南安水暖卫浴产业,经过20多年的发展,从最初的家庭作坊式小工厂开始,经历了贴牌代工、产业集群、渠道拓展、技术创新、自创品牌等多

  http://blog.alighting.cn/zhaxiwen1/archive/2011/7/18/230051.html2011/7/18 15:58:00

led背光源制作工艺简介

术问题解决之后,为led在显示领域的应用奠定了根本性的矗采用led为液晶电视的背光源,最主要目的是提升画质,特别是色彩饱和度上,led背光技术的显示屏可以取得足够宽的色域,弥补液

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229973.html2011/7/17 23:42:00

功率型led的封装技术

小功率led 获得广泛的应用。从上世纪九十年代开始,由于led 外延芯片技术上的突破,使超高亮四元系algainp 和gan 的led 既能发射可见光波长的光可组合各种颜色和白

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229961.html2011/7/17 23:36:00

led隧道照明灯具的节能分析

2led光源与其他光源不同,它的工作电流在额定范围内可大可校这一特性为led灯具实现亮度无级控制奠定了矗目前,隧道led亮度智能无级控制系统已经研发成功,它的推广应用,必将对公路隧

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229953.html2011/7/17 23:33:00

红色荧光粉介绍

备打下了矗图5为不同激活剂含量下该稀土铝酸盐荧光粉的发射光谱。铝酸盐荧光粉的发射主峰位于680nm以上,而镓酸盐的发射主峰的波长更长,在700nm以上。 在不同的激活剂含量下,发

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229950.html2011/7/17 23:30:00

led外延生长工艺概述

却是所有电子工业的矗硅晶柱的长成,首先需要将纯度相当高的硅矿放入熔炉中,并加入预先设定好的金属物质,使产生出来的硅晶柱拥有要求的电性特质,接着需要将所有物质融化后再长成单晶的硅晶

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00

外延生长技术概述

d生长ingaalp外延片技术已相当成熟。ingaalp外延生长的本原理是,在一块加热至适当温度的gaas衬底片上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到gaas衬底表面,生

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00

led的外延片生长技术

展uv三色萤光粉白光led奠定扎实矗可供uv光激发的高效萤光粉很多,其发光效率比目前使用的yag:ce体系高许多,这样容易使白光led上到新胚阶。6.开发多量子阱型芯片技术多量子

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229948.html2011/7/17 23:29:00

led芯片的制造工艺简介

合格的晶粒标上记号后,将晶圆切开,分割成一颗颗单独的晶粒,再按其电气特性分类,装入不同的托盘中,不合格的晶粒则舍弃。3、构装工序:就是将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片座上,并

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229935.html2011/7/17 23:24:00

金属有机化学汽相淀积(mocvd)技术

](1)、生长速率mocvd生长过程是由三甲镓(tmg)扩散到衬底来控制,而不是表面动力学反应。在富砷条件下,其生长速率只取决于tmg压力,而与砷气压无关;而且在生长温度等于50

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229936.html2011/7/17 23:24:00

首页 上一页 178 179 180 181 182 183 184 185 下一页