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本文报道了利用脉冲激光沉积技术在热氧化p型硅衬底上生长zno外延薄膜。引入高阻非晶sio2缓冲层，有效地降低了检测过程中单晶衬底对zno薄膜的电学性能影响。利用xrd，se
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:30:47
运用偏振衰减全反射傅立叶变换红外光谱技术 (atr-ftir) ,研究了 si(1 1 1 )在不同比例的 nh4f-hcl溶液中腐蚀后的表面形态。通过分析表面振动模型的偏振波长及
https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:03:59
tb62d701和tb62771产品集成dc-dc升压控制器和多功率mosfet来控制电流。并采用东芝尖端混合信号亚微米硅工艺技术将驱动和其它组件集成在一个芯片上，从而该芯片具
https://www.alighting.cn/news/20111017/114657.htm2011/10/17 9:37:24
2010年就听说他们准备不再出售led芯片了，都自己搞封装了，闹的咱们的封装厂因采购不到芯片，使国内芯片市场价格高企，现在又这么专利联手，这真是“福无双至、祸不单行”啊，为我们的产
https://www.alighting.cn/resource/20111014/127023.htm2011/10/14 13:08:36
飞利浦、欧司朗、Cree、日亚、丰田合成，五个巨头联手了，他们交互授权led专利，在国际上形成了一付无形的专利网，这无疑给刚刚遭受秋潮来袭的中国led产业头上又多了一个紧箍
http://blog.alighting.cn/mqycc21/archive/2011/10/12/244222.html2011/10/12 21:52:27
从大自然中生长的菌丝株体吸取灵感，并依靠计算机模拟植物生长规律的算法，在3d打印机中用有机塑料将灯罩打印出来，形成如叶子脉络一般的纹路，每盏灯都是独一无二的。灯罩内置Cree公
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/10/12/244219.html2011/10/12 21:25:47
却掌握在日本日亚(nichia)、美国科锐(Cree)、德国欧司朗等海外巨头手中。而在外延片和芯片领域，美国和日本企业处于垄断优势，拿走了60%以上的利润。中国大部分led企业，只
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/10/12/244215.html2011/10/12 17:09:42
Cree与欧司朗（osram）宣布，两家已签署全面性的全球专利交叉许可协议。此项协议涵盖双方在蓝光led芯片的技术、白光led、萤光粉、封装、led灯泡灯具，以及led照明控制系
https://www.alighting.cn/news/20111011/100092.htm2011/10/11 9:20:48
led 照明领域的市场领先者科锐公司(nasdaq: Cree)日前宣布推出可全面对led灯具进行定量及定性测试和分析的tempo? 服务，此项服务的推出，将帮助照明生产商加快产
https://www.alighting.cn/pingce/20111010/122837.htm2011/10/10 18:22:29
此前，氮化镓只能用于(111)-硅上，而目前广泛使用的由硅制成的互补性金属氧化半导体(cmos)芯片一般在(100)-硅或(110)-硅晶圆上制成。这表明，新晶体管能同由(11
https://www.alighting.cn/news/20111009/100275.htm2011/10/9 10:09:29
