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至适当温度的gaas衬底基片上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到gaas衬底表面,生长出具有特定组分,特定厚度,特定电学和光学参数的半导体薄膜外延材料。iii族与v族的源物
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外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
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此 避免了gan和腌膜材料之间的接触。5.研发波长短的uv led晶圆材料它为发展uv三基色荧光粉白光led奠定扎实基矗可供uv光激发的高效荧光粉很多,其发光效率比目前使
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
．材料制备的难易程度及成本的高低：考虑到产业化发展的需要,衬底材料的制备要求简洁,成本不宜很高。衬底尺寸一般不小于2英寸。当前用于gan基led的衬底材料比较多,但是能用于商品化的
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能超过容许值,最后业者终于领悟到解决封装的散热问题才是根本方法。有关led的使用寿命,例如改用硅质封装材料与陶瓷封装材料,能使led的使用寿命提高一位数,尤其是白光led的发光频谱含
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229911.html2011/7/17 23:09:00
靠度问题,因此目前国内外也在发展陶瓷基板及金属复合基板等。这些新开发的基板材料不但具有良好的散热性,同时热膨胀系数(介于4~8ppm/k)与led芯片均相匹配,唯一的缺点是价格均
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用纯净的碳化硅(sic)材料研制出了第一个“真正的蓝光”led,但是它们的发光效率非常低。下一代器件使用 了氮化镓基料,其发光效率可以达到最初产品的数倍。当前制造蓝光led的晶体外
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己开发的led驱动器、mosfet和肖特基二极管实现,其中120w led照明驱动电源还配有完备的短路、开路保护功能,并通过emc认证测试。这二款产品的工作寿命均长达8万小时,有效克
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示,时序可以调整,以便应对不同的状态。任何情况下,延迟电容(图7电路图中的c5)必须为陶瓷型,以减小漏电流,低成本的电解电容不适合在这应用。如前所述,无需mcu的额外输入/输出即
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种陶瓷填充的特殊的聚合物构成，热阻小，粘弹性能优良，具有抗热老化的能力，能够承受机械及热应力。ims-h01、ims-h02和led-0601等高性能pcb铝基板的导热绝缘层正是使
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