站内搜索
d驱动板(pcb)布线，特别是对于点间距较小的led驱动板更有利。 3) 电流输出误差 电流输出误差分为两种，一种是位间电流误差，即同一个芯片每路输出之间的误差；另一种是片间电
http://blog.alighting.cn/119379/archive/2011/12/20/258868.html2011/12/20 15:57:49
但对于飞利浦来说，要实现“更大的成功”可能并不是一件容易的事。实际上，因为led眼下的成本依旧过高，在中国更多的是依靠地方政府的市政工程进行消化。而一些质疑者的观点认为：在与地
https://www.alighting.cn/news/20111220/89738.htm2011/12/20 10:11:52
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258645.html2011/12/19 11:10:46
路。潜在性失 效则可使 led 的性能参数劣化，例如漏电流加大，一般 gan 基 led 受到静电损伤后所形成的隐患并无任何方法可 治愈。 3 、复杂性 : 在静电放电的情况下，起放
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258640.html2011/12/19 11:10:19
路和升压开关管，但是电感和用于续流的肖特基二极管还是外接的，这增加了电路的复杂性、成本和pcb面积。此外，由于闪光灯驱功电路、led、显示屏、手机天线一般位于手机上端，与手机的射频电
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258607.html2011/12/19 11:02:37
等要求；不应规定这些要求。生产者可做出保证，但不能代替要求，它是个商业概念、合同概念，而不是技术概念。行业协会对此应该要有个明确的说法，这对于用户、生产者以及整个行业都将会是非常有
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258593.html2011/12/19 11:02:03
摘 要:用同种ｇａｎ基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基led芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38
高亮度led虽然具备了更省电、使用寿命更长及反应时间更快等优点，但仍得面对静电释放（esd）损害和热膨胀系数（tce）等效能瓶颈；本文将提出一套采次黏着基台（submoun
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258579.html2011/12/19 11:01:19
长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn基材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn基超高亮
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258557.html2011/12/19 10:59:35
示器厚膜电路衬底基片材料采用常规厚膜工艺所使用的96％a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材料时,除要求其理化性能与衬底基片能够良好匹配外,还应尽量考虑降低产品制造成本。为此,我们将厚
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258553.html2011/12/19 10:59:24
