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摘要:用同种ｇａｎ基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基led芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

摘要:用同种ｇａｎ基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基led芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

摘要:用同种ｇａｎ基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基led芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

摘要:用同种ｇａｎ基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基led芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

摘要:用同种ｇａｎ基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基led芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

摘要:用同种ｇａｎ基led外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片，测试比较了它们的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性。结果表明：ｇａｎ基led芯片在２０ｍａ以下的ｉ－ｖ特性和ｐ－ｉ特性

http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

之led功率已经不只1w、3w、5w甚至到达10w以上，所以散热基板的散热效能儼然成为最重要的议题。影响led散热的主要因素包含了led芯片、芯片载板、芯片封装及模组的材质与设计，

https://www.alighting.cn/resource/20131115/125117.htm2013/11/15 14:40:27

全避专利led，采用美国cree芯片+日本专利荧光粉=全避专利led，可以出口日本.欧美等全世界，如果有专利纠纷我司全全负责 cree芯片smd 3528 5050 3629可

http://blog.alighting.cn/pzc1222/archive/2009/12/22/22015.html2009/12/22 19:31:00

摘要：多芯片集成是大功率光源的实现形式之一。本文归纳了多芯片集成功率光源的优点和缺点，分析了需要解决的主要技术问题，展示了目前的进展，提出了对未来走向的看法。目录实

http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133864.html2011/2/19 23:34:00

目前hv芯片还没有大面积普及，封装企业对hv芯片的需求较少，而hv芯片配光应用的整体方案才能突显hv芯片的优势。因此，hv芯片的制作与生产只是其中一个方面，更重要的是与设计、封装

https://www.alighting.cn/news/2013715/n810453757.htm2013/7/15 9:46:49