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为了获得大功率led器件，有必要准备一个合适的大功率led面板灯芯片。国际社会通常是大功率led芯片的制造方法归纳如下。
https://www.alighting.cn/resource/20131025/125196.htm2013/10/25 10:31:08
外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品(电压偏差很大，波长偏短或偏长等)。良品的外延片就要开始做电极(
https://www.alighting.cn/2013/10/11 11:32:22
渠道为王，技术制胜。在6月9日-12日举行的亚洲led高峰论坛上，晶能光电作为此次cto技术交流大会的嘉宾，将以“硅衬底大功率led芯片产业化及应用”为话题探讨led技术。为让网友
https://www.alighting.cn/news/20120511/85518.htm2012/5/11 16:46:27
新型硅上氮化镓(gan-on-si)几款产品的规格书都给出的是350ma驱动电流下的测试数据。在典型正向电压为2.9v时，色温5000k，显色指数为70的tl1f1-nw0,l光效
https://www.alighting.cn/pingce/20130105/121950.htm2013/1/5 9:36:01
附件词：青岛，法兰克，节能灯，t5转t8，t5节能灯，大功率节能灯，一体式，分体式，分体式节能灯，分体式大功率节能灯，大功率分体式节能灯，螺旋节能灯，螺旋大功率节能灯，大功率螺旋节
http://blog.alighting.cn/frankqingdao/archive/2008/6/8/8897.html2008/6/8 3:40:00
中国赛西（广州）实验室市场经理
http://blog.alighting.cn/lizhiji123/2015/3/12 20:17:30
http://blog.alighting.cn/nsurprise/archive/2008/11/22/9331.html2008/11/22 9:59:00
为了简化分析过程，进一步理清涉及到led芯粒本身的失效机理，本文对所取样的led芯粒仅进行简单的金胶固定。本文从外延角度出发，通过研究不同波段的gan led在加速电流应力条件下表
https://www.alighting.cn/resource/20150320/123443.htm2015/3/20 11:09:20
对ingan/gan多量子阱蓝光和绿光led进行了室温900ma电流下的电应力老化，发现蓝光led老化到24小时隧穿电流最小，绿光led到6小时隧穿电流最小。
https://www.alighting.cn/resource/20150228/123557.htm2015/2/28 15:16:34
为避免因封装不良带来的可靠性问题而影响对老化机理的判断，本样品不灌胶，目的是仅仅研究芯片本身的可靠性。
https://www.alighting.cn/2014/11/24 10:15:20
