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图1)。3材料选用3．1陶瓷盖led平板显示器厚膜电路衬底基片材料采用常规厚膜工艺所使用的96％a12o3标准陶瓷,在选用陶瓷盖材料时,除要求其理化性能与衬底基片能够良好匹配外,还
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258549.html2011/12/19 10:59:12
长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn基材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn基超高亮
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258547.html2011/12/19 10:59:07
特的金属基覆铜板，具有良好的导热性、电气绝缘性能和机械加工性能。设计时也要尽量将pcb靠近铝底座，从而减少灌封胶部分产生的热
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258527.html2011/12/19 10:58:20
费电子市场的超级海啸！ led灯具的高节能、长寿命、利环保的优越性能获得普遍的公认。 led高节能：直流驱动，超低功耗(单管0.03瓦-1 瓦)电光功率转换接近100%，相同照明效
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258510.html2011/12/19 10:57:08
构从事氮化镓基蓝绿led的材料生长、器件工艺和相关设备制造的研究和开发工作。其中处于世界领先水平的主要有：日本的nichia；美国的lumileds、gree；德国的osram等。这
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258489.html2011/12/19 10:56:09
如波长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%，已接近极限。 lgainn基材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33
底上的垂直结构gap基led芯片有两种结构：不剥离导电砷化鎵生长衬底：在导电砷化鎵生长衬底上层叠导电dbr反射层，生长 gap 基led外延层在导电dbr反射层上。剥离砷化鎵生长衬
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258466.html2011/12/19 10:54:53
现，其中聚焦的主轴之一就是led照明。李明儒表示， 该公司已为磊晶合作伙伴开发出符合其规格所需的led驱动ic产品，不论在散热与输出功率上均有竞争利基，目前也已少量供货，预期可望成
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258435.html2011/12/19 10:47:06
要蚀刻或移除所有有机物质或其他环氧基物质（如su-8光刻胶），我推荐一个设备，名字叫“r3t高速等离子蚀刻机”，型号stp 2020，stp1010。这是德国r3t的产品，熟悉蚀
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258422.html2011/12/19 10:46:19
于我们专事高热导金属基绝缘电子材料研发，精通半导体导热机理，所以我们可以提供大功率led封装散热技术全面的支持散热是led灯要重点解决的问题，而在这之前是一个导热过程更是一个关
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258421.html2011/12/19 10:46:17
