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利用电子束蒸发技术在p型硅衬底上沉积了200 nm厚的ceo2薄膜样品,将样品置于弱还原气氛中高温退火后,观察到薄膜在385,418 nm以及445 nm左右出现三个明显的发光
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126965.htm2011/10/25 14:41:00
采用金属有机化学气相沉积技术,利用自催化法,在si(100)、(111)衬底上成功生长了inp纳米线。利用扫描电镜观察样品表面,在si(100)、(111)衬底上生长的纳米线形貌
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126966.htm2011/10/25 14:26:05
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25
采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的ganmqwled薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨x射线衍射(hrxrd)和光致发光(pl)研究了转移的gan薄
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126968.htm2011/10/25 13:48:12
首次报道si衬底gan led的理想因子。通过gan ledi-v曲线与其外延膜结晶性能相比较,发现理想因子的大小与x射线双晶衍射摇摆曲线(102)面半峰宽有着对应关系:室温时s
https://www.alighting.cn/resource/20111024/126970.htm2011/10/24 15:21:29
本文讲述大功率外延片芯片在设计过程中所应该着重注意的几点,对上游工程师和结构设计的工作人员有比较好的借鉴作用,推荐阅读;
https://www.alighting.cn/resource/20111021/126981.htm2011/10/21 12:51:24
led光效是衡量光电转换器件是否节能的一个重要因素,如何提高led光效使其达到节能的效果,本文从透明衬底技术、金属膜反射技术、表面微结构技术、倒装芯片技术四个方面介绍了提高led
https://www.alighting.cn/resource/2011/10/21/113338_44.htm2011/10/21 11:33:38
够在屋顶上使用该款led灯泡。 关键是led灯泡价格已经下降,照明科学集团生产的相当于40瓦照明的led灯泡价格在20美元以下。本月底就能够在线购买或通过家得宝连锁店购买,还可购买其
http://blog.alighting.cn/113268/archive/2011/10/20/246954.html2011/10/20 17:51:39
厚的优势。 第四,led可以用来构筑各种图案。由于led体积小,结构牢固,响应时间短,我们可以用led构建出一定的图形;然后将这些图形再进行组合,以实现某些设计的效果。现在,在城
http://blog.alighting.cn/113268/archive/2011/10/20/246952.html2011/10/20 17:51:34
片可以放到镜子或玻璃上用来显示新闻标题或股价,而且该公司的nanoflex封装技术也可容纳其它型态的芯片。该公司希望在今年底之前能把相关技术应用到信用卡中。 agilight也
http://blog.alighting.cn/113268/archive/2011/10/20/246932.html2011/10/20 17:48:00