站内搜索
d外延生长技术和多量子阱结构的发展，人们在精确控制外延、掺杂浓度和减少位错等方面都取得了突破，处延片的内量子效率已有很大提高。像波长为625nm的a1ingap基led，内量子效率
http://blog.alighting.cn/Antonia/archive/2010/11/18/115032.html2010/11/18 16:39:00
瓷，紫外线吸收剂，电池材料 2，精细功能陶瓷；添加于陶瓷中可较低烧结温度，抑制晶格生长，提高陶瓷的致密性； 3，合金镀层：添加在锌镍、锌钻和锌铁合金中改变锌的电结晶过程， 促使
http://blog.alighting.cn/weking1/archive/2010/12/13/120327.html2010/12/13 10:39:00
解反应，不产生二次污染，最终达到白色污染的有效控制。据日本的相关报道，降解后的余物即能控制植物的病虫害和农药的残留又能有助于植物的生长，达到绿色环保的双重功效。 技术指标： 项
http://blog.alighting.cn/weking1/archive/2010/12/13/120329.html2010/12/13 10:40:00
理和工程技术人员，而且大功率led芯片对外延材料要求很高，如果材料生长质量不高，就会导致芯片转换效率不高，热量多。这些都深刻影响着半导体照明产业的发展。 led照明产
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126747.html2011/1/9 20:00:00
机。 依托清华大学的力量，同方掌握了高亮度蓝绿光led外延片生长及芯片制备工程在内的核心技术，完成led全产业链布局，成为了目前业界唯一具有完整数字电视产业链群组的厂商，拥有
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/11/126882.html2011/1/11 0:31:00
备、各种烧结炉、生长炉、光伏发电互补系统、检测设备 太阳能集热采暖设备：太阳能外墙及屋顶组件、测量及控制系统、太阳能系统控制软件 太阳能建筑及工程应用：光伏发电系
http://blog.alighting.cn/zzhuanqiong/archive/2011/1/11/126953.html2011/1/11 11:04:00
热。 c、实践证明，出光效率的限制是导致led结温升高的主要原因。目前，先进的材料生长与元件制造工艺已能使led极大多数输入电能转换成光辐射能，然而由于led芯片材料与周围介质相
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/17/179100.html2011/5/17 16:32:00
结温升高的主要原因。目前，先进的材料生长与元件制造工艺已能使led极大多数输入电能转换成光辐射能，然而由于led芯片材料与周围介质相比，具有大得多的折射係数，致使芯片内部产生的极
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/6/18/221770.html2011/6/18 20:03:00
光，有一部分与结区的杂质或缺陷相结合，最终也会变成热。 c、实践证明，出光效率的限制是导致led结温升高的主要原因。目前，先进的材料生长与元件制造工艺已能使led极大多数输入电
http://blog.alighting.cn/leddlm/archive/2011/7/24/230666.html2011/7/24 17:25:00
眠。 4、 新陈代谢：能激活体内多种酶，可降低血糖、胆固醇、血压、增加血钙，加速骨骼生长，防治坏血病，佝偻病等。 5、 血液：可使白血球、红血球、血红蛋白和血小板增多，球蛋白增
http://blog.alighting.cn/lightsalt/archive/2011/8/6/231946.html2011/8/6 15:49:00
